非掺半绝缘GaAs晶片多步热退火的机理的研究.pdfVIP

非掺半绝缘GaAs、晶片多步热退火的机理研究 赵福川、夏冠群、杜立新、谈惠祖、莫培根 中国科学院上海冶金研究所，t海200050 摘要：本文利用Wenzl的OaAs缺陷模型研究了在晶片多步热退火的高温退火段中．G8hAs，回溶体化学计 量比偏离度(s=t-Zx)对晶体气圊相平衡的影响。计算表明，CaAs晶体在固溶区中的离解压依较于化学 计量比偏离度和杂质的浓度。在宫As区，离解压随化学计量比偏离度的增加，迅速增大．在富Ga区．离 解压随化学计量比偏离度的增加，趋于零。杂质碳使离解压有少许增大，浓度较高的硼使离解压有较大下 降。 ‘ ， 非掺半绝缘(sI)GaAs作为二元化合物，其晶体的完整性、均匀性均不如si单晶，因此 直接影响刮以此为衬底的超高速，超高频微电子器件和电路的性能。近十年来，人们发现 侄!I GaAs中普遍存在的AB缺陷对材料的电学均匀性和器件的性能影响显著。研究表明提 高C,aAs器件与电路成品率的关键因素之一是减小村底中AB缺陷的密度【l，21。 一般}人为AB缺陷与晶体的富As生长有关，其结构可能是As微沉淀。目前减少AB 缺陷的主要办法有①优化晶体生长技术②热退火技术。常规的热退火技术不能减少AB缺 缺陷密度．退火后的育位错样品显示出极均匀的薄层电阻分布，因此存在良好的应用前景。 。 MWA采用两步退火方式，首先进行封管As蒸气保护i100～1150℃退火，再进行950℃ 遐火。为了解释其机理，他们认为在高温退火段平衡As压与晶片的化学计量比有关，适当 々勺砷压控制可以改变晶片的化学计量比，从而消除衬底中大尺寸的微沉淀，并降低As沉淀 彦度，使晶片的电学均匀性得到提高。 1生洲A中，高温退火时的As压控制是关键，如控制不恰当，有可能使晶片转型或者使 如沉淀密度增加。研究在高温退火时As压控制在何值时才能够与正化学计量比的材料平 然而其定量关系还不十分清楚．目前仅有～些经验公式可参考。 G‰、、s．、Ga．、V—V。及其电离态的近似条件下，根据化学热力学的方法计算了T=1150 气氛相平衡的关系。见图i，发现平衡As蒸气压在晶体富AS情况下(即s0)随s的减小， 迅速增加、而在富Ga情况下(即s0)随s的增大趋于零。为了了解杂质对相平衡的影响， 我”!还考絮了两种具有较高浓度的重要杂质C和B。计算结果表明，在c浓度为I．54× 、 x 10。Ⅲ对，平衡As压的变化趋势基本不变，As压只有少许增加。在B浓度为2．2i0“cml‘ 时，平衡^s压在富As侧有较大降低。GaAs晶体在固熔区时的离解压依赖于化学计量比偏 其具体嬗取决于杂质效应以及杂质浓度。 ， 匀r与实验进行比较，这里引用Kang关于退火时样品退火温度T与砷端温度T(As)的 经验竺。置：s：、其中砷端中的单质砷为样品提供了必要的砷气压保护。 』(AsJC卸．31ST／℃+227 算得T=1150℃时，T(As)=589℃，相应的砷气压为047atm，与本文的非掺理论值接 近。 从计算结果香，高温退火时{芏富As区，离解压随化学计量比偏离度的增加而迅速增大， 为了最大程度减小As沉淀密度，同时保持晶片具有良好的电学性质，可以使As气压略高 于正化学计量比时的平衡压，由于原生富As晶片中As原子的化学势与气相As不同，会发 生扩散运动而导致晶片内多余的As进入气相，这样热退火后晶片中仅留下稍微过量的As 原子，As微沉淀密度必然减少。再通过低温退火(950℃)，这些过量的As原子足以生 成足够的EL2缺陷保证样品具有半绝缘性。虽然Noack等报道在T=I100℃长期退火的样品， 当As气压低于latm时，其深中心EL2浓度降低，导致原生高阻样品电阻率减小，甚至变 为P型低蛆[43。但他们的实验在退火结束后，采用了快速淬冷，抑制了EL2的再生，因此 并不与本文的计算结果矛盾。 参考文献： [1]HYamamom，OOda、M．SeiwaMTar,iguchi，HNakataandM ElcctrochcmSoc．，1989．136：