非晶FeNicrSiB软磁合金薄膜的巨磁阻抗效应.pdfVIP

非晶FeNiCrSiB软磁合金薄膜的巨磁阻抗效应 萧淑琴刘宜华张林娄坚鑫高汝伟代由勇 山东大学物理系，济南250100 摘要本文研究，用射频溅射法制各的非晶FeNiCrSiB软磁台金薄膜的巨磁阻抗效应．分别研究，溅 态膜和退火膜的纵向、横向和垂直膜面方向的阻抗随交流电流的频率及外加直流磁场的变化关系．在 一．引言 材料的阻抗随外加直流磁场变化的特性称为磁阻抗效应。磁阻抗在低场下有较大的 数值和较高的灵敏度，因而在磁传感器和记录头的应用方面有着非常大的潜力。最初研 究磁阻抗效应的材料多是钴基非晶丝和薄带，而许多器件需用薄膜材料，且铁基软磁合 金有较好的软磁特性，因此铁基软磁合金薄膜磁阻抗效应的研究具有一定的实际意义。 二．实验 非晶态(FeNi)77，Cros(Slab2(at％)薄膜，是用射频溅射法在玻璃衬底上淀积而成的， 分钟。用振动样品磁强计测样品的磁特性、用x光衍射测结构，用HP4192A阻抗分析 仪测胆抗。测量阻抗时交流电流沿样品的长度方向，外加直流磁场分别沿三个方向：在 膜面内，平行、垂直交流电流及垂直于膜面，分别表示为LMI、TMI及PMI。 三．结果与讨论 x光衍射谱表明溅态及400。C以下退火样品为非晶态，4500C以上退火样品晶化。 由饱和磁化强度的温度曲线得出居里温度为346。C，两个相变点温度为4470C和507。C， 分别对应着Fe晶粒从非晶相中分离出来及整个非晶态的晶化。磁导率及阻抗与退火温 度的关系表明，350。C退火的样品有较大的磁导率及磁阻抗，我们详细研究了该样品的 势及相近的数值，图1只给出LMI曲线)。纵向磁阻抗随电流频率单调增加，直到 13MHz(仪器的频率上限)。曲线的曲率为负，而且在较低的频率即出现巨磁阻抗效应， FeCuNbSiB膜中观测的结果不同(在几十兆赫兹的高频才产生巨磁阻抗效应，且曲率为 线。可以看出随着磁场的增加，磁阻抗比单调F降，未出现任何峰值。这是因为在高丁I 居里温度及不加磁场的情况下退火，末感应任何各向异性。而通常纵向磁阻抗在外加直 流磁场等于各向异性场时出现峰值[3】。从图中还可看出纵向磁阻抗在0到150e内迅速 下降，在较高场下降缓慢，在700e，几乎所有的频率下磁阻抗都达到饱和。巨磁阻抗 到最大值的一半时的直流磁场值。当频率增加时，灵敏度增加，在13MHz灵敏度为 146 到最大值的一半时的直流磁场值。当频率增加时，灵敏度增加，在13MHz灵敏度为 3．4％／Oe。图3是横向磁阻抗随直流磁场的变化曲线。与纵向磁阻抗不同的是横向磁阻 抗随磁场变化的灵敏度低，在13MHz为l％dOe。这主要是因为横向退磁场的影响。图4 为垂直膜面磁阻抗与直流磁场的关系曲线。从图中可以看出PMI比LMI和TMI的数值 和灵敏度都小得多。而且，在H=700e时PMl远没有饱和。 一≮‘Iz釜。i=z_zN一 圆圈)和PMI(圆点)随频率变化曲线． 靴 LMI随外加直流磁场的变化曲线． 一≮：EN／(0izz-zN— 圈3 TMI随外加直流磁场的变化曲线． 图4 PMI随外加直流磁场的变化曲线。 火20分钟样品的磁阻抗特性。13MHz下得到最大纵向磁阻抗比为38％，灵敏度为3．4％／0e． 横向磁阻抗比为40％，灵敏度为1％／Oe，垂直膜面的磁阻抗比在11MHz为ll％，这比 Sommer及Chien在FeCuNbSiB中测量的结果要大许多，且测量频率较低 t