埚转速度变化对直拉硅单晶氧径向均匀性的影响.pdfVIP

从图5可看到，单晶氧轴向均匀性控制 埚转和磁场，对氧的轴向梯度都能控制到较 满意的效果。 在29±lppm，达到非常好的效果。在不同 的热场中，拉制不同直径的单晶，通过改变 埚转速度变化对直拉硅单晶 一一———————一 一—————————q p7夕z 氧径向均匀性的影响 T“3p也．f劢．r 郝玉清 张果虎 方 锋 吴志强 万关良 (北京有色金属研究总院半导体材料工程研究中心，北京1000S8) 摘 要本文研究了土拉硅单矗氧径向均匀性与石荚埚转速变化的关系。在单 晶生长初期．石美蜗转速变俐对氧径向均匀性没有影响，但在单晶生长后期，石英 埚转速增加导致氧径向均匀性变坏。 ． 、 1引言 求，通常采用等品转，等埚转晶体生长，晶 直拉硅单晶中的氯是形成氯化诱生层错 转变化范圈为．IO一粥lpm．埚转的变化范围 及热施主的主要因素．它来源于石英埚和熔 为5—15rpm。晶转通常麦于埚转并且转动 硅的反应，并通过熔体对流及扩散传输到固 方向相反。月这种常规工艺制备的单晶的氧 ．液界面及熔体自由表面。熔体中的氧大多 含量的轴向分布在单晶生长的大部分长度内 数从自由表面挥发，剩余的进入硅单晶中。 线性下降，接近尾部时氯含量略有上升。氧 随着晶体直径及集成电路集成度的提高，氧 含量的变化范围是25—36ppm，它除了变化 径向均匀性极为重要。有关氧径向均匀性与 范圈克外，还存在对某些器件工艺，氯含量 晶体生长参数之间的关系已作了许多研究， 可能低了，而对另外一些器件工艺。氯含量 它随晶体转速加快而变好…，勾形磁场可以 又高了，因此需要控制氯含量的轴向分布， 改善直拉单晶硅氧径向均匀性【2】。但有关变 最简单有效的方法是采用变埚转晶体生长。 埚转晶体生长工艺中埚转变化对氧径向均匀 为了降低单晶头部的氯含量，在单晶生长的 性的影响还未见报道。本文通过分析熔体对 初期采用低埚转，随着晶体的生长，埚转增 流的变化，对此同题进行初步研究。 大。由于增加埚转不仅减薄了石英埚．熔硅 2实验 的边界层，还使右英埚的温度升高，这就加 在CG∞∞型单晶炉上装备400ram热大了氧的扩散及反应速度。单晶氯含量最低 场，拉制垂125mm单晶，分别采用等埚转及点上升。但改善氯含量轴向分布的同时，变 石英埚转速由低到高变化晶体生长工艺，分 埚转晶体生长对氧径向均匀性产生了不同的 析石英埚转速变化对氧径向均匀性的影响。 影响。 3实验结果及讨论 图l冲的曲线b为变埚转工艺制备的单 如果对直拉单晶硅中氧含量没有控制要 晶的氧径向均匀性，它和等埚转工艺制备的 ·69· 单晶的氧径向均匀性曲线a相比。在单晶头 向均匀性变化不大，随着晶体生长，熔 部变化不大，在单晶尾部氧径向均匀性变 体高度减小，热对流减弱，由晶转、埚 坏。 转引起的强