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References
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Roadmap.Semiconductor
for01 MOSFETS onVLSI
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CampheII
S currentandelectricalbreakdowninMOCVDdielectricsOllSi
KimHS,GilmerDC,CampbellA.Leakage TiOz
Lett.】996.69:3860
数模混合大规模集成电路设计
陈 杰
(甘本电气通信大学信息系统学院)
Ona
摘要本文综述了大规模集成电路设计的现状,讨论了研制系统芯片SOC(SystemChip)所面临的技术问
题,介绍了减少LSI内部功耗的一些方法。对于目前还难以设计但日益重要的数模混合集成电路,提出了一个实用
而又可行的设计方案。
关键词LSICADSOCSOI
1集成电路研究开发的现状及所面临的问题
集成电路产业是现代工业的基础,关系到国家的发展战略。因此,很多国家都投巨资进行研究和开发。其
中进展最快的领域是集成电路的制造工艺技术和设计自动化技术。在制造工艺方面,日、美等国已经开始淘
多万门电路的芯片已经出现,工作频率也可高达数百MHz。在芯片的自动化设计方面,近几年的发展也十分
VHDL记述电路的动作行为,然后用逻辑电路自动合成工具如Synopsy
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