利用EBSD技术分析低应变量形变显微组织.pdfVIP

第30卷第4．5期 电子显微学报 VoL30，No．4-5 2011年10月 JournalofChineseElectron 20ll一10 MicroscopySociety 文章编号：1000-6281(2011)04／05-0408-06 利用EBSD技术分析低应变量形变显微组织 刘廷光，夏 爽+，茹祥坤，杨辉辉，李 慧，白 琴 (上海大学材料研究所，上海200072) 摘 要：电子背散射衍射(EBSD)技术能够定量分析晶体材料形变显微组织。本文比较了EBSD数据的不同处理 方法在分析形变显微组织中的应用效果，讨论了用局部取向梯度和取向离均差研究形变组织的微观分析方法。尝 试用Matlab软件对EBSD的原始数据进行处理，重构出单个晶粒的相对全Euler角图，能很好研究单个晶粒内的形 变显微组织。 关键词：电子背散射衍射；形变显微组织；局部取向梯度；取向离均差 文献标识码：A 中图分类号：0344；TGlll；TGll5 分析形变显微组织对研究材料的塑性变形和再 1 利用EBSD分析形变显微组织的 结晶都具有重要意义。根据不同的研究需要，分别 原理 用形变储能、残余应力和应变量的概念分析形变显 微组织。但是，无论用哪种方法，形变显微组织的定 EBSD对样品表面微区逐点逐行进行自动取向 性和定量分析都存在困难。以前主要采用x射线 测定及存储¨1，并结合位置坐标重构出以晶体取向 衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)进行研究。为成像依据的图像，称为取向成像显微技术 XRD能通过衍射谱线位移测量和谱线线形分析计 (orientation imaging 算晶格畸变的形变储能或应变量，但测定准确度不 变形后，在显微组织中产生位错及其构成的位锗界 高，分辨率低。利用TEM…观测位错密度分布能够 面(dislocationboundary)归叫¨，还包含新增晶界及点 精确的反映应变的分布，进而利用位错密度计算出 缺陷。虽然EBSD不能直接观察位错，但能测量由 形变储能或应变量。但TEM制样困难，且观察区域 大量位错排布引起的取向变化，这种取向变化程度 很小，统计性较差，特别是在研究非均匀形变的显微 反映了显微组织的形变程度¨2。。所以，EBSD测定 组织时，用TEM比较困难。而且，TEM观测的薄区 结果能用于分析形变显微组织。EBSD的另一优点 或薄膜样品的形变储能会被部分释放，失去了原始 是它的开放性，EBSD测试结果以数字信息存储：包 样品形变组织的真实性。 括相种类、晶体取向(3个Euler角)、位置坐标和菊 20世纪80年代末以来，EBSD技术的发展和应 池花样质量，能根据需要进行各种数学分析或图像 用为研究形变显微组织开辟了新的方法忙“。。 EBSD作为扫描电子显微镜(SEM)的附件，用于对 构图。EBSD数据处理软件自身就拥有强大的分析 材料表面微区进行取向分析。EBSD实验样品的制功能，并能图像化显示各种分析及统计结果。本文 备比较简单，可分析亚微米到毫米范围的区域。 EBSD数据处理软件中提供了多种数据处理方法。5软件进行测试和数据处理。 本文比较了运用这些方法对低应变量形变显微组织 2 用于形变显微组织分析的EBSD数 进行分析的结果，认为局部取向梯度和取向离均差 是描述形变显微组织的较好参数。 据