注F栅介质抗电离辐射损伤机理.pdfVIP

注F栅介质抗电离辐射损伤机理 张国强，余学锋，陆妩，范隆，郭旗，任迪远，严荣良 (中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，830011) 摘要对含FMOS结构的抗电离辐射特性和机理进行了系统研究．其结果表明：F减少 工艺过程引入栅介质的E，中心缺陷和补偿Si／Si02界面si悬挂键的作用，将导致初始 氧化物电荷和界面态密度的下降；栅si02中的F主要以F离子和Si—F结键的方式存在； 古F掘介质中部分Si—F键替换si帕应力键而使Si／Si02界面应力得到释放，以及用 较高键能的si．F键替换Si-H弱键的有益作用是栅介质辐射敏感性降低的根本原因； 台FCM0s电路辐射感生漏电流得到抑翩的主要原因是场氧舟质中氧化物电荷的增长受 到了明显抑制． 关键词：含F介质，电离辐射．氧化物电荷．界面态，损伤机理 1引言 最近几年，关于MOS器件电路栅介质中引入一定的F离子，能提高其抗电离 辐射损伤的研究已取得很大进展“…．大量的实践证明，F能明显抑制MOS栅介质 中由辐射感生的氧化物电荷和界面态的增长积累．另外，F亦能改善MOS栅场介 质的电特性15“】，提高器件电路的抗热载子损伤的能力等f，一．但是．直到目前， 关于含F介质的抗电离辐射损伤微观机理却很少报道更未进行系统研究，而搞清 它们。对进一步提高含F介质的可靠性、优化工艺条件，使含FM0s器件电路实 用化等，都具有非常重要的理论指导和实际应用价值． 2损伤机理 2．{F对MOSFET初始特性的影晌机制 3．5～40·cm，n(100)的Si村底上，采用850(2H2+02栅氧化，栅氧层厚度50am。 注F工艺是栅氧化并淀积500nm多晶硅后，注入能量为30KEY、荆量为1xi0”F／cm2 的F离子，然后于N：中退火30min。 MOSFk-T的阌电压由Ids-V。。特性外推得到，界面态密度根据I-V亚阈技术获 得． 77 张国强余学峰陆妩等：注F栅介质抗电离辐射损伤机理 表1分别给出了5个注F与未注F样品的阈电压V。和界面态密度D；。的比较 结果。由表中数据可见：①注FPMOSFET，其阚电压的绝对值比末注F的小，前 NMOSFET，其闽电压都比未注F的大，二者平 者乎均值小于后者0．31V．@注F 均之差为0．24V；③无论是 P沟还是N沟MOSFET，F的 注入都能轻微减小Si／Si02 界面态密度． 另外，从图i中注F与 未注FPMOSFET初始ld,-V。 特性比较中发现，栅介质中 F的注入，可使I_v特性正 向漂移．这意味着注F样品 中固定正电荷数目少于朱注 图l注F与未注FPM()SFET初始 F样品． I“。V。特性的比较． 由此可见，栅介质中注 入F，能减小PMOSFET阑电 压绝对值，增大NI“ISFET阙电压，降低初始界面态和氧化物空间正电荷密度． 电压稍高一些而PMOSFET阈电压绝对值稍小一些对提高抗辐射水平是有益的。 表I注F与未注F M0sF盯初始V