磁控反应溅射AlN薄膜光学性能研究.pdfVIP

维普资讯 第37卷 第 1期 2008年2月 表表面囱技投木术 VO1．37 No．1 Feb．2008 SURFACE TECHN0L0GY 磁控反应溅射 A1N薄膜光学性能研究 朱春燕，朱昌 (西安工业大学光电工程学院，陕西 西安 710032) [摘 要】 为了制备光学性能良好的A1N薄膜。采用磁控反应溅射法制备了氮化铝 (A1N)薄膜，利用椭圆仪、分光光度计、傅 立叶变换光谱仪对 A1N薄膜进行了相关光学性能的分析。结果表明：在波长为400～1100rim时，A1N薄膜的折射率为2．0～2．4，透 过率都在88％以上；在 200～300nm远紫外光范围内，薄膜具有强烈的吸收；在红外吸收光谱中，677cm 处存在 1个强烈的吸收峰 ， 说明薄膜中已经形成了A1N。 [关键词】 氮化铝薄膜；折射率；透过率；红外光谱；磁控反应溅射法 [中图分类号]TG174．444；04844 [文献标识码