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维普资讯 化学蚀刻单晶硅及其表面形貌研究 樊丽梅，文九巴，赵胜利，祝要民 (河南科技大学材料科学与工程学院，河南 洛阳471003) [摘 要] 采用酸碱两种不同的化学蚀刻液对单晶硅表面进行蚀刻，通过扫描电镜(SEM)对其形貌进行了表征，考察了蚀刻 液浓度、蚀刻时间及温度对表面形貌的影响。结果表明，在HNO+HF溶液中，20~C时用2．81mol／LHF+18，81mol／LHNO 反应 5min或2．67mo1／LHF+17．85mol／LHNO反应 15rain，制得了硅片表面腐蚀坑大小适中、分布均匀的多孔状表面；在 KOH水溶液 中，50℃时在33％的KOH水溶液中反应 10rain获得了表面积大、分布均匀的绒状表面。 [关键词] 化学蚀刻；单晶硅片；表面形貌 [中图分类号]TG172 [文献标识码]A ’ [文章编号]1001—3660(2007)O1—0019一O3