SiCdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长和性能分析.pdfVIP

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2015-08-05 发布于安徽
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SiCdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长和性能分析.pdf

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第卷第期半导体学报年月复合衬底液相外延材料的生长与性能分析徐庆庆陈新强魏彦锋杨建荣陈路中国科学院上海技术物理研究所上海摘要通过改进推舟液相外延技术成功地在晶向复合衬底上进行了液相外延生长获得了表面光亮的外延薄膜测试结果表明复合衬底液相外延材料组分及厚度的均匀性与常规衬底外延材料相当位错腐蚀坑平均密度为比相同衬底上分子束外延材料的平均位错密度要低一个数量级晶体的双晶半峰宽达到左右研究结果表明在发展需要低位错密度的大面积长波外延材料制备技术方面复合衬底液相外延技术可发挥重要的作用关键词复合衬底液相外延中图分类号文献标识码文章编号