分布布喇格反射镜反射特性.pdfVIP

维普资讯 第 25卷 第5期 发 光 学 报 V0L25 No．5 2004年 10月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Oct．，2004 文章编号 ：1000-7032(2004)05-0501-04 分布布喇格反射镜的反射特性 李 林，钟景 昌，苏 伟，晏长岭，张永明，郝永琴，刘文莉，赵英杰 (长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室，吉林 长春 130022) 摘要：采用等效法布里．珀罗(F-P)腔方法对分布布喇格反射镜(DBR)的特性进行了研究，计算并讨论了上 下两层 DBR结构非对称模型反射率的变化 。设计了DBR反射镜的反射谱中心波长为850nlll的结构。随着 DBR周期数的增加 ，腔反射率峰值逐渐增加。上下两层 DBR反射镜的厚度 由反射率和 中心波长决定。实验 表明，下DBR的周期数为30对左右，上 DBR的周期数为20对左右，易实现激光输出。非对称的双层DBR的 反射特性表明理论计算与实验结果基本一致。 关 键 词：分布布喇格反射 ；F-P腔 ；反射特性 中图分类号：TN304．07 文献标识码 ：A 由有源层及上下两个 DBR结构组成。有源 区由 1 引 言 未掺杂的 GaAs／Alo．3Gao．，As3个量子 阱结构组 分布布喇格反射镜 (DBR)在垂直腔面发射 成。本文的DBR结构 由周期性厚度为 1／4波长 激光器 (VCSEL)中，可作为有源层上下方 的谐振 的低、高折射率组分不 同的半导体材料的交替膜 腔面 ¨】，对提高反射率、功率和降低阈值起着重 层组成，上下 DBR分另嵊 用 GanAs／ 鸥 要作用。随着分子束外延 (MBE)、金属有机化学 As的周期结构组成。选择下 DBR结构周期数为 气相沉积 (MOCVD)等外延生长技术的不断发展 ， 34对，上 DBR的周期数为22对。图 1为DBR结 越来越 多地显示 出垂直腔面发射激光器 的优 构示意图。通过掩膜、光刻、离子刻蚀 、欧姆接触 势 2]。目前，DBR结构一般由周期性厚度为 A／4 等后工艺 ，在上 DBR开圆形 出光 口。 的高、低折射率组分不同的半导体材料的交替膜 层组成，其结构大约包括 20—40个周期。文献 上 DBR [3]对 DBR结构周期数相等的模型进行了讨论。 有源层 然而一般的双层 DBR结构 ，上下层的周期数并不 下 DBR 相同，成为非对称的双层 DBR结构。 研究了非对称双层 DBR的生长，在偏 (111) A2。的GaAs(100)衬底上生长 了A10．9Ga0．1As／ Al0_1Ga。．As的周期结构。采用有效折射率方法 对DBR的反射特性进行 了分析，将 DBR结构等 图 1 分布布喇格反射镜结构示意图 效为F—P腔进行计算和讨论。对非对称的双层 Fig．1 SketchofDBR structure． DBR的反射特性进行了分析 ，表明理论计算与实 3 理论和实验 验结果基本一致。 2结构设计 3嚣R的第层的净电场反射率表示为R， 使用掺硅的n型GaAs作为衬底 ，在衬底上 第 i层和第 i一1层的局部反射率以r表示，则由 生长了一层500Ylm厚 的GaAs缓 冲层 。