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2015-08-06 发布于安徽
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光刻和等离子体刻蚀技术.pdf

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维普资讯 4‘夸2‘ 光刻与等离子体刻蚀技术刘之景中国科学技术大卓要写面 i 台肥 230026 刘晨 -r~,yoy,j 中国科学技术大学电子工程与信息科学系台肥 230027 弋冬0s(}22 摘要介绍了光刻与等离子体刻蚀技术的特点与进展．阐述了等离子体刻蚀的物理机制与前沿问题关键词光刻，等离子体刻蚀．物理机制。。’～ LITHoGRAPHYAND PLASMA ETCHING TECHN0LoGY LDepartt~ntoyA~tronomyandAp#~dPhysics，UniversityofScienceand Technology0iChina， e协 230026 tDepartmentofE! mnEng*n~ ngandInfo~ tionScience，Uni~ sity0fScein~andTechnologyofChzna，№抽 230027 Abstract Thecharacteristicsandprogressoflithographytechniqueandplasm~etchingtechnolo— gYaresttrnmarlzedTheirphysicalmechanismsandcurrentresearchproblemsarealsoexplained Keywords lithography．plasmaetching，physicalmechanism 表 1 IC发展趋势 1 引言＼宰 199519982o0120 2o072010 拄术指标■、、、～特征R寸／Ⅲ 035025018 0130．10007 巴丁、布拉顿和肖克莱(Bardeen，Brattain， DRAM集戚度／bit 64M 256M IG 4G 16G 64G Shockley)于 1947年发明了第一支晶体管，芯片面积／m 190 280 420 640 960 1400 1960年德克萨斯仪器公司(TexasInstruments) 晶面直径／mrrL 200 2o0 300 300 400 400 制造了第一块集成电路(IC)，以后的发展突飞逻辑互连层数 4m5 5 5 6 6 6—77--8 猛进，高登-奠尔(GordonMoore)观察到集成电在标志着一个国家综合实力的集成电路工路元件密度从 1960年到 1987年逐年加倍．并业中．衡量其水平的DltAM 3年更新一代，储预计到2000年芯片上元件数可达到 10亿个．存容量提高 4倍，特征尺寸下降30％，芯片面高登，奠尔在得到元件数目发展规律的同时，揭积增加 60％ 1998年，DR