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序 言 ——加强太赫兹科学技术基础和应用研究 张 健 (中国工程物理研究院 电子工程研究所) 太赫兹(Tera-Hertz，THz)波是指频率在 0.1 THz~10 THz(波长在 3 mm～30 μm)范围内的电 磁波，该频段介于毫米波与远红外光之间，是一个人类尚未充分认知和利用的频段。同微波 相比，亚太赫兹和太赫兹波具有高出 l~4 个数量级的带宽，同光波相比，太赫兹波具有更高 的能量转换效率和烟雾穿透能力，因此太赫兹波作为通信和雷达的新手段，可以极大地提高 通信系统的容量和雷达的分辨率，以及保密性和抗干扰抗截获性能等。太赫兹波具有比 X 射 线更低的能级和对非金属材料的穿透性，可以广泛应用于医学成像、安检、材料检测与结构 分析、特殊过程测量等领域。 太赫兹科学技术研究包括基础研究和应用研究。太赫兹波处于宏观经典电磁理论与微观 量子理论的过渡区，要实现太赫兹波的充分开发利用，须从物理、化学、材料科学、电子学、 光子学等学科出发研究太赫兹频段的特殊现象和规律，建立太赫兹波的基础理论。太赫兹波 的主要应用包括：太赫兹波的宽带应用(超高速率太赫兹通信、超高分辨率太赫兹雷达等)、太 赫兹波谱光谱应用(光谱特征分析、成像等)、太赫兹波的近距应用(近距无线接入与局域互连 网；利用大气衰减频率实现几公里级范围的保密传输和抗干扰抗截获应用，如战场区域高安 全作战探测与通信系统等)、太赫兹波反隐身应用等。太赫兹波基础和应用研究的突破，必将 推动人类生活方式和科学技术的重大变化，因此世界发达国家争相将太赫兹科学技术列为战 略性科技方向。 从研究方法来说，太赫兹科学技术包括太赫兹电子学、太赫兹光子学、太赫兹光电子学 等。太赫兹电子学侧重于 0.1 THz~3 THz 左右的太赫兹低频段，太赫兹光子学侧重于 1 THz~ 10 THz 左右的太赫兹高频段。国内外过去对太赫兹光子学和基于超短激光的太赫兹光电子学 的研究较多，其应用主要表现在波谱(光谱)分析与成像方面，部分技术已达到实用水平。近年 来，随着太赫兹通信和雷达可能产生的广泛应用前景，太赫兹电子学的发展引起了高度重视， 成为太赫兹研究的前沿热点。太赫兹电子学主要基于太赫兹波的波动性，基于 InP,GaAs,GaN 等化合物半导体的固态微纳电子学器件和真空电子学功率放大器件，基于宽带复杂信号理论 和超高速数字信号处理技术，研究太赫兹通信、雷达等电子系统。太赫兹电子学包括 3 大方 面的共性基础研究：太赫兹波在自由空间、大气、水、金属等媒质中的信道传播特性以及与 目标相互作用的散射特性；太赫兹固态调制源、固态与真空功率放大器件；宽带复杂信号理 论和超高速实时信号处理技术。太赫兹通信、雷达所需的太赫兹源与太赫兹波谱特性应用的 太赫兹源有较大区别，通信和雷达所需的太赫兹源要求很宽的瞬时带宽，其频率、相位、幅 度具有瞬时的线性可调制性，这种太赫兹源一般基于半导体固态器件实现。固态太赫兹器件 的输出功率在 μW 到 mW 量级，然后采用固态功率合成和电真空放大器提高输出功率。基于 微电真空行波管放大器，其连续波功率可达到 W 级；基于回旋行波管放大器，其脉冲功率可 达到 kW 级。国外 0.5 THz 以下的固态太赫兹电子器件逐渐成熟；2009 年美国 DARPA 计划启 动了“太赫兹电子器件”的研究，重点研究达到 1THz 的晶体管器件和功率放大器模块等；美 国 Sandia 等国家实验室开展了太赫兹固态集成收发器件及其应用研究。 中国工程物理研究院在国内较早、较为全面地开展了太赫兹科学技术的研究。中国工程 物理研究院电子工程研究所、应用电子学研究所、激光聚变研究中心、应用物理与计算数学 研究所、流体物理研究所、化工材料研究所等单位开展了太赫兹频段的通信、雷达、固态源 与功率放大器、RF-MEMS 无源器件、微电真空放大器、大功率电真空器件、自由电子激光器、 量子级联激光器、超宽谱太赫兹源、光谱成像与材料检测等研究，并取得了一系列重要成果， 如：2005 年，基于射频直线加速器自由电子激光技术，研制出我国第一个 2.6 THz 可调谐相 干太赫兹