量子阱与超晶格及其在光电子器件中的应用.pdfVIP

、于 T ， 寸 t『r 他 t 维普资讯 认 为，为了早 日推出国产商品化掺钛宝石激 基础方 面的研究，以在国际范围的高技术竞 光器 ，以适应科研和应用的需要，必须组织 争 中立于不败之地 。 力量，加强协作，增强投资强度，开展一些 参考文1K (略 ) 一 量子阱和超晶格及其在光电子器件中的应用 廖先炳 ● ● _ _ _ _ ● _ _ _ _ 一 (重庆 光 电技术研 究所 擅 要 本文介绍了量子阱和超晶格的基本概念，以厦在光电子器件中的应用。 能在生长方 向上精确地控制薄层的组分和厚 一 、 引 言 度，从而证实了他的设想。究竟量子阱和超 随着分子束外延和金属有机化学气相淀 晶格有什么区别呢 ?为了说明这个同题，首 积技术的发展和进一步完善，使半导体量子 先要弄清楚多量子阱 (MQW )的结构和 能 讲和超晶格材料得到突破性 的进展，这种基 带 图。图1示 出其结构和能带图。任何一种 于现代超薄膜技术的人造材料具有特异的量 子尺寸效应，使其表现出比体材料更加优越 。 妁 电学和光 学物 理特性。同时，量子阱 (QW )和超 晶格技术正 以全新的概念改变 着器件的设计思想，使半导体器件的设计和 镧作 由原来的 “杂质工程 发展到 “能带工 辩 程 ”以及 电学特性和光学特性 剪 裁 的新领 域 。 皿G急^l‘瑙 ＆-il- 本文介绍量子阱和超品格的基本概念， n 展示量子阱和超晶格结构在半导体激光器、 图 1 多量子阱结构示意图 (上 )以 长波光探测器、高速光调制器以及 自电光效 及它们的能带结构图 (下 ) 应器件等光电子器件 中的应用情况。 量子阱结构都是 由两种不 同的半导体材料薄 = 、量子阱和超 晶格 层做成重复相问的多层结构组成窄带材料作 1969年 Esaki等人提 出量子阱超晶格 势阱，宽带材料作势垒，势阱被夹在两个势 韵概念，他设想量子阱超晶格是 由两种不 同 垒层之间，电子和空穴 将被局 限于势阱之 组分或不同掺杂 的半导体超薄层组成的周期 中。若势阱层的宽度很小 (即势阱层薄层厚 结构。当这种周期结构的宽度小于电子的平 度很小 )，小到可以和电子德布罗意波长相 均 自由程时，这种周期结构就出现量子化现 比拟，而势垒层宽度较大，两个相邻势阱中 塞。随着分子束外延和金属有机化学气相淀 的电子波 函数不能互相耦合，这种多层周期 积技术的发展和完善，已能生长出原子尺寸 结构称之为量子结构，有多个 阱 的量 子阱 的、界面平精的优质超薄层半导体材料，并 结构称为