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光 电 子 ·激 光
第 19 卷 第 4 期 2008 年 4 月 Vol . 19 No . 4 Ap r . 2008
Journal of Optoelectronics ·Laser
宽反射角DBR 红光发光二极管
韩 军 , 李建军 , 邓 军 , 邢艳辉 , 于晓东 , 林委之 , 刘 莹 , 沈光地
(北京市光电子技术实验室 ,北京工业大学 , 北京 100022)
摘要 :对用于提高Al GaInP 红光发光二极管出光效率的传统 DBR 进行了分析 ,用 MOCVD 生长了包含对垂直
入射光反射的DBR 和对斜入射光反射的DBR 复合在一起的红光L ED ,在 20 mA 注入电流下 ,L ED 的峰值波
长为 630 nm ,轴向光强达到 137 mcd ,输出光功率为2. 32 mW 。与常规的L ED 相比,光强和输出光功率有很大
的提高。
关键词 :红光发光二极管; 分布布拉格反射镜; 金属有机物化学气相沉积
( )
中图分类号: TN383 文献标识码 :A 文章编号 2008
Wide reflected angle DBR red light LED
HAN J un , L I Jianj un , DEN G J un , XIN G Yanhui , YU Xiaodong , L IN Weizhi ,
L IU Ying , SHEN Guangdi
(Beijing Optoelectronic Technology Lab .Beijing University of Technology ,Beijing ,100022 China)
Abstract :We analyzed the conventional DBR which was used to increase t he light extraction efficiency in Al GaInP red light
L ED. The coupled DBR L ED with one DBR to reflect normal incidence light and one DBR to reflect inclined incidence light
was grown by MOCVD. At 20 mA Dc inj ection current ,the L ED peak wavelength was 630 nm ,the light intensity of on axis
was 137 mcd ,and the output light power was 2 . 32 mW. The light intensity and output light power were improved than
conventional L ED.
Key words :Red L ED ; DBR ; MOCVD
本文对传统用于红光L ED 的DBR 反射率进行了分析 ,在
1 引 言 模拟计算的基础之上 ,指出了限制传统DBR 反射率的因
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