单相正弦脉冲调制（SPWM）逆变器死区效应研究.pdfVIP

维普资讯 机床电器2006．1 应用 ·交流——单相正弦脉冲调制(SPWM)逆变器死区效应研究 单相正弦脉冲调制 (SPWM)逆变器死区效应研究 周百聪 (四川机电职业技术学院。617064) 摘要：由于电子开关器件都存在一定的开通和关断时间。它们严重影响了用这些开关器件构成的具有直流母线 的桥式逆变器的安全运行，死区时间的设置就是为了克服这一严重问题而提出的解决办法。 关键词：SPWM；逆变器；死区时间 中图分类号：TP276 文献标识码：B 文章编号 ：1004一o420(2006)01—0044—03 基本相同。它是一种场控器件。其开通和关断是由栅 0 前言 极和发射极的电压 决定，当 为正且大于开启电 任何 固态的电子开关器件都有一定的固有的开通 压 h】时。MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基 和关断时间，在具有直流母线的桥式逆变器中，在一个 极电流进而使IGBT导通。由于前面提到的电导调制 管子没有完全关断以前另一管子 已经开通，这样就相 效应，使得 减小。这样高耐压的IGBT也具有很小 当于两个管子同时导通而造成直流 电压短路，这种情 的通态压降。当栅极和发射极间施加反向电压或不加 况称为同一桥臂的两个管子的开关控制时间没有严格 信号时。MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被 互补。考虑到开关器件 的开通和关断都需要一定时 切断。使得IGBT关断。 间，在一个开关器件完全关断进入截止状态以前，同一 IGBT的开通过程与电力MOSFET的开通过程很 桥臂的另一个开关器件不能加上开通信号。也就是 相似，这是因为IGBT在开通过程中大部分时间是作为 说，从一个器件的关断信号发出(往往是下降沿)到同 MOSFET来运行的。如图1e)所示，从驱动电压 。的 一 桥臂的另一个开关器件加上开通信号(往往是上升 前沿上升到其幅值的0。I的时候，到集电极电流上升 沿)必须保证有一段时间延迟 ，该延迟时间称为死区延 到其幅值的0．1的时候为止，这段时间称为开通延迟 迟或死区，常用t表示。 时间t )。开通时间 。为开通延迟时间与电流上升 1 死 区时间的设置 时间之和。IGBT关断时，从驱动电压 。的后沿下降 到其幅值的0．9的时刻起，到集电极电流从0．91下 所有功率器件的开通和关断都需要一定的时间， 降至0．1，的这段时间为电流下降时间。二者之和为 并且开通时间小于关断时间，下面以IGBT为例来说 关断时间t。Ⅱ。 明管子的开通和关断的过程。 从以上分析可以看出，IGBT的关断时间要大于它 的导通时间，所以设置的死区时间t．应大于相应器件 ，c 的关断时间 ￡。仃。 c G 2 带死区时间的单相逆变器驱动信号 E 的MATLAB／SIMULINK实现 E a)简化等效电路 b)电器图形符号 C)开关过程 在桥式逆变器中。同一桥臂2个开关管的驱动信 号设置死区，也就是从一个开关器件的关断信号发出 图l IGBT的简化等效电路、电器图形符号和开关过程