应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSeZnSe与ZnSeZnS_xSe_(1-x)光致发光谱.pdfVIP

　第 19 卷第 11 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　 　　 . 19, . 11　 V o l N o 　1998 年 11 月　　 　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov 应变层超晶格 1- x x Zn Cd Se ZnSe 和 x 1- x 光致发光谱 ZnSe ZnS Se 1 史向华 　柯　练　靳彩霞　魏彦峰　凌　震　俞根才　王　杰 ( 复旦大学应用表面物理国家重点实验室　上海　200433) ( 1 长沙电力学院物理系　长沙　410077) 摘要　本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格 和 Zn0. 77Cd0. 23 Se ZnSe ZnSe ZnS0. 12 Se0. 88 的光致发光谱. 分析了影响激子线型展宽的主要因素. 定量表征了 4 4K 下合金涨落和阱厚涨 ( ) 落对线型展宽的贡献. 理论分析表明, 在低温 4 4K 下, 合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主 导作用. 对比结果显示, 超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献 Zn0. 77Cd0. 23 Se ZnSe 大于 超晶格. ZnSe ZnS0. 12 Se0. 88 PACC: 7280E , 6855, 7855 1　引言 目前, 半导体生长的先进技术已能设计制备出各种结构以满足基础研究和器件的应用. 宽禁带 族半导体量子阱和超晶格的波长范围可覆盖从可见光到紫外光, 适用于制备各 种光电器件, 使其在应用上具有诱人的前景, 而成为十分活跃的研究领域. 尤其是M . A . [ 1 ] 等人 成功研制了能发射波长为 490 的 量子阱激光器, 人们开始广 H aase nm ZnCdSe ZnSe 泛研究用这类材料制备各种光电器件, 因而深入研究各种相关的超晶格和量子阱的光学性 质尤为重要. 一个高质量的超晶格和量子阱应具有强而窄的自由激子荧光谱, 来自杂质和缺 ( ) 陷的非本征荧光则应十分弱, 因此从光致发光光谱 PL 谱 上完全能反应超晶格材料的优 劣. 影响超晶格激子线型展宽的因素主要来自本征线宽、杂质散射致宽、合金组分涨落和阱 厚涨落致宽、以及缺陷引起的展宽. 要稳定地外延出高质量的超晶格, 必须深入地分析研究 这些因素对样品质量的影响, 以便配合工艺上的改进, 如外延温度、生长速率、生长时间和束 流的协调控制来获取高质量的样品, 使其更具备实用价值. 本文研究了 和