不同粒度的碳化硅磨料氧化性研究.pdfVIP

2009年 10月 金刚石与磨料磨具工程 0ct．20D9 第 5期 总第 173期 Diamond＆AbrasivesEngineering No．5 Seria1．173 文章编号：1006—852X(2009)05—0078—04 不同粒度的碳化硅磨料氧化性研究 程宝珠 刘新红 贾全利 (1．河南工业大学，郑州450007) (2．郑州大学材料科学与工程学院，郑州450052) 摘 要 本文用热重分析仪、x射线衍射仪和扫描电子显微镜(SEM)研究了两种不同粒度(0．28 104． 71 m，39．81～954．99 m)的碳化硅粉体在 20一l400℃温度范围内非等温氧化的特性，结果表 明： (1)粒度较小的1试样的比表面积是2试样的20多倍，1试样氧化开始温度为 560℃，而2试样的氧 化开始温度为870oC，1试样在 1400℃的氧化增重率为2．36％，2试样的增重率为 1．14％。这表 明在 相 同实验条件下，碳化硅粒度越小，活性越高，氧化程度越高。(2)粒度较小的碳化硅氧化产物为方石 英。(3)SEM表 明SiC表面生成 SiO保护膜可封闭部分气孔，阻止 O 向内扩散 ，为保护性氧化。 关键词 粒度 ；碳化硅 ；氧化 中图分类号 TG73 文献标识码 A OxidationresistanceofSiC powderwithdifferentparticlesize ChengBaozhu LiuXinhong JiaQuanli (1．HenanUniversityofTechnology，Zhengzhou450007，China) (2．SchoolofMaterialsScienceandEngineering，ZhengzhouUniversity，Zhengzhou450052，China) Abstract Thenon。isothermaloxidationcharacteristicsofSiCpowderwithdifferentparticlesize(0．28～ 104．71Ixm，39．81～954．99Ixm)at20～1400℃ werestudiedbyusingTG-DTA，X—raydiffraction (XRD)andscanningelectronmicroscope(SEM)．Theresultsshowthat：(1)Thespecificsurfaceareaof sample1ismorethan20timesthatofsample2．Theinitialoxidationtemperatureofsample1is560oC，and thatofsample2is870oC．At1400oC theweightgainpercentageofsample1is2．36％ andthatofsample2 is1．14％．Thisindicatesthatunderthesameconditions，thefinertheSiC particles，thehighertheiractivity andtheiroxidizability．(2)ThereactionproductofSiCwithsmallerparticlesizeiscristobalite．(3)·SEM revealsthatthereisSiO2film on thesurfaceof SiC particleswhich blockstheporesbetween particlesand prevents02from diffusingintoSiCparticles．Sothiscanbeconsideredasprotectiveoxidation． Keywords particlesize；SiC；oxid