大直径硅片超精密磨削技术的研究与应用现状.pdfVIP

维普资讯 2003年 8月 金刚石 j 料磨具：程 Aug．2003 总第 136期 第 4期 1)ian~md AbrasivesEngineering Sefia1．136 No．4 文章编号 ：1006—852X{2003)04—0013—06 大直径硅片超精密磨削技术 的研究与应用现状 PRESENT STATUSOF ER SEARCH AND APPLICATION IN ULTRA—PER CISION GRINDNIG TECHNOLOGY OFLARGE．SCALE SILICONWAFERS 康仁科 田业冰 郭东明 金洙吉 (大连理工大学机械学院现代制造技术研究所 辽宁 大连 116024) KangRenke TianYebing GuoDongming JinZhuji (InstituteofAdvancedManufacturingTechnoolgy，Schoolof‘MechanicalEngineering， DalianUniversityof Technology，Dalian116024，China) 摘要：随着Ic制造技术的飞速发展，为了增加 IC芯片产量和降低单元制造成本，硅片趋向大直径化，原始硅片的厚 度也相应增大以保证大尺寸硅片的强度 ；与此相反 ，为了满足 Ic封装的要求，芯片的厚度却不断减小 ，需要对 图形硅片 进行背面减薄。硅片和芯片尺寸变化所导致的硅片加工量的增加 以及对硅片加工精度和表面质量更高的要求 ，使已有 的硅 片加工技术面临严峻的挑战 。本文详细分析了传统硅 片加 l-_Z艺的局限性 ，介绍了几种大直径硅片超精密磨削加 工工艺的原理和特点 ，评述了国内外硅片超精密磨削技术Lj装备研究和应用的现状及发展方 向，强调了我 国开展大直径 硅片超精密磨削技术和装备研究的必要性 。 关键词 ：硅片；磨削 ；砂轮 ；磨床 ；集成电路 中图分类号：TN304．12；TG58 文献标识码：A Abstract：W ithfasterdevelopingofIC manufacturingtechnology，thediameterofwafertrendstobelargerinordertoincreasethe ． yields ofchipsandreducehtecostperbit，athtesanletime，thethicknessofprimewaferisalsoincreasingtoensurehtestrengthof wafer．Contrarily，htechipthickness isdcereasingtomeettherequirementsofIC packageSOthatthebacksidehtinningofpattern wafers isrequired．l11us．itishteincreaseofthematerialremovalamountcausedbysizechangesofwaf