高温高压下新型金刚石%2f碳化硅热沉材料的热导率研究.pdfVIP

2011年4月 第2期 金刚石与磨料磨具工程 Apr．2011 第31卷 总第 182期 Diamond＆AbrasivesEngineering No．2 Vo1．3l Seria1．182 文章编号：1006—852X(2011)02—0040—04 高温高压下新型金刚石／碳化硅热沉材料的热导率研究 武 琪 彭 放 李庆华 张文凯 管俊伟 寇 自力 (四川大学原子与分子物理研究所 ，成都 610065) 摘要 本文针对国内外对高导热、低热膨胀系数的热沉材料需求，以金刚石为基体、硅粉为添加物 ，用国 产六面顶压机在5．IGPa，1350一l650℃的条件下，采用高压 固液渗透法合成出金刚X；／碳化硅陶瓷热 沉材料，并对高压烧结体的相组成、密度与热导率进行了分析。研究结果表 明：初始材料 中硅含量、烧结 时间与温度对烧结体的成分以及密度有很大影响；当压力为5．1GPa、烧结温度 1450℃、烧结时间180s 时，烧结体热导率达到650W／(m ·K)，在初始材料加入少量钴后，烧结体的热导率最高达到700W／(m ·K)。 关键词 金刚石／碳化硅烧结体；高温高压；热导率 中图分类号 TG74；TG713 支献标识码 A DOI编码 10．3969／j．issn．1006—852X．2011．02．009 StudyonthethermalconductivityofHTHP diamond／SiC ceramicheatsink material WuQi PengFang LiQinghua ZhangWenkai GuanJunwei KouZili (InstituteofAtomicandMolecularPhysics，SichuanUniversity，Chengdu610065，China) Abstract Inthispaper，thediamond／SiC ceramicheatsinkmaterialissynthesizedinacubicpressbyhigh temperaturesolid—liquidosmosismethodundertheconditionof5．1GPa．1350～1650c=《．Theanalysisofthe phasecomposition，density and thermalconductivity ofhigh—pressure compactwas conducted．The results indicatedthatthesiliconcontent，sinteringtimeandtemperaturehadagreateffecton thecompositionand densityofthecompact．Itwasfoundthatwhenthesinteringpressure，temperatureandtimewere5．1GPa， 1450oC and180S，thethermalconductivityreached650W／(m ·K)．IfCowereaddedtothestarting material，thethermalconductivitywouldreachupto700W／(nl·K)． Keywords diamond／siliconcarbidecompact；highpressureandhightemperature；thermalconductivity 微电子电路和器件失效的另一种方式。解决上述问题 0 引言 的重要手段之一是选择热导率高、热胀系数匹配的封 随着半导体仪器的超微型化，微电子集成器件的 装材料，高导热封装材料对系统性能的影响已变得和 集成度要求越来越高，由于集成度迅速增加，通过的电 芯片同等重要 。。 流越来越