氮化铝基片的集群磁流变抛光加工.pdfVIP

2011年 10月 第5期 金刚石与磨料磨具工程 0ct．2011 第31卷 总第 185期 Diamond ＆AbrasivesEngineering No．5 Vo1．31 Seria1．185 文章编号：1006—852X(2011)05—0035—04 氮化铝基片的集群磁流变抛光加工 白振伟 阎秋生 路家斌 潘继生 祝江停 (广东工业大学 机电工程学院，广州510006) 摘要 本文进行了氮化铝基片的集群磁流变抛光加工研究，分析了主要工艺参数的影响和加工表面形貌 特征。实验结果表明：集群磁流变抛光加工氮化铝基片可以实现高效率超光滑抛光，原始表面尺 1．7302m抛光60min后可以达到R。0．0378txm。选用碳化硅磨料，磨料质量浓度为0．05g／mL，工件 与抛光盘转速 比为5．8左右，加工初期采用较小加工间隙最后抛光采用较大加工间隙，可以获得较高的 材料去除率和较光滑的加工表面。 关键词 氮化铝基片；集群磁流变效应；抛光；表面粗糙度 中图分类号 TG58 文献标志码 A DOI编码 10．3969／j．issn．1006—852X．2011．05．008 PolishingAIN substratebyclustermagnet0rhe0l0gicaleffect BaiZhenweiYanQiusheng Lujiabin PanJisheng ZhuJiangting (GuangdongUniversityofTechnology，Guangzhou510006，China) Abstract ThepolishingofA1Nsubstratebyclustermagnet0rhe0logical(MR)effecttechnologyisresearched， andtheinfluenceofthepreliminaryexperimentalparametersandthefeatureofmachinedsurfacemorphologyare studied．ExperimentalresultdemonstratesthatclusterMR—effectplanepolishingA1N substrateisfeasibleandit can achieveultrasmoothpolishingwithhighefficiency，after60minutespolishingtheoriginalsurfaceroughness wasdecreasedfrom Ra1．7302 Ixm toR 0．0378 m．Smoothermachinedsurfaceandhighermaterialremoval wereobtainedwhenweselectedappropriatemachiningparametersincludingSiCabrasive(massconcentration 0．05g／mL)，thespeedratiobetweenworkpieceandpolishingdiscabout5．8，smallermachininggapduringthe initialpolishingandlargermachininggapduringthefinalpolishing． Keywords A1N substrate；clustermagnetorheologicaleffect；polishing；surfaceroughness 发展，对高热导率陶瓷的需求El益增加，氮化铝己成为 O 引言 高功率电路基板及封装的理想材料，在 电子工业中的 氮化铝 (A1N)陶瓷具有高热导率 (理论热导率为 应用潜力非常巨大 卫J。氮化铝基片表面一般需要超 319w／(m ·K)，是 A10 陶瓷的8～10倍)、高介 电