物理前沿论文-纳米材料.docVIP

纳米材料 作者：梁莉丽 【摘要】当物质尺度小到一定程度时它的尺寸已经接近电子的相干长度，它的性质强相干所带来的自组织使得性质发生很大变化。因此其所表现的特性往往不同于该物质在整体状态时所表现的性质。纳米粒子异于大块物质的理由是在其表面积相对增大，也就是超微粒子的表面布满了阶梯状结构，此结构代表具有高表面能的不安定原子。这类原子极易与外来原子吸附键结，同时因粒径缩小而提供了大表面的活性原子。纳米级结构材料简称为纳米材料(nano material)，是指其结构单元的尺寸介于1纳米～100纳米范围之间。纳米材料具有一定的独特性，当物质尺度小到一定程度时，则必须改用量子力学取代传统力学的观点来描述它的行为，当粉末粒子尺寸由10微米降至10纳米时，其粒径虽改变为1000倍，但换算成体积时则将有10的9次方倍之巨，所以二者行为上将产生明显的差异。由于它的尺寸已经接近电子的相干长度，它的性质因为强相干所带来的自组织使得性质发生很大变化。并且，其尺度已接近光的波长，加上其具有大表面的特殊效应，因此其所表现的特性，例如熔点、磁性、光学、导热、导电特性等等，往往不同于该物质在整体状态时所表现的性质。一般常见的磁性物质均属多磁区之集合体，当粒子尺寸小至无法区分出其磁区时，即形成单磁区之磁性物质。因此磁性材料制作成超微粒子或薄膜时，将成为优异的磁性材料纳米粒子的粒径（10纳米～100纳米）小于光波的长，因此将与入射光产生复杂的交互作用。金属在适当的蒸发沉积条件下，可得到易吸收光的黑色金属超微粒子，称为金属黑，这与金属在真空镀膜形成高反射率光泽面成强烈对比。纳米材料因其光吸收率大的特色，可应用于红外线感测器材料。 　纳米磁性材料纳米陶瓷材料纳米半导体材料纳米倾斜功能材料纳米催化材料 氧化锌纳米线的制备方法有：气相生长法气相沉积法气相传输法射频溅射法直接热蒸发法液相生长法模板生长法自组装生长法气相生长法ZnO 纳米材料，较为简便。衬底一般为如石英、玻璃等透明材料并在其上制备择优取向明显的透明导电薄膜。透明导电薄膜的选择也是多种多样的，有掺锡氧化铟（ITO）薄膜 、掺铝氧化锌（AZO）薄膜或者氧化锌（ZnO）薄膜等。近几年来，已经有很多研究小组开展了关于在透明导电衬底上合成有序ZnO 纳米线阵列的研究，大多学者研究的都是掺锡氧化铟（ITO）薄膜在透明衬底生长一维ZnO 纳米结构阵列的光致发光性能和场致发射性能。例如：Lin 等人就是研究了在ITO 玻璃上制备的一维ZnO 纳米结构阵列的光致发光性能和场致发射性能。但由于ZnO掺Al后禁带宽度明显增大，具有较高的光透过率，更利于实现高效率的发光器件，再者掺铝氧化锌（AZO）薄膜作为透明导电氧化物(TCO)薄膜,具有与ITO相比拟的优异光电特性,具备高热稳定性和化学稳定性、价格低廉、原料丰富无毒、制备简单等优势,已成为ITO的最佳替代材料。 纳米氧化锌半导体发光器件的核心元件——PN结结构的合成方法主要有在具有N型导电特性的ZnO透明材料上放上P型材料并压紧形成PN结结构或直接使用P型材料作为衬底使得生长出的氧化锌纳米线自动与衬底形成PN结结构，但ZnO材料很难实现有效的p型掺杂，虽然已经有学者实现了氧化锌的 p型掺杂，但缺陷与杂质较多，性能尚不能与 n型 ZnO相比，这一方面仍有待深入研究。由于ZnO本征施主缺陷的高度自补偿作用，有限的受主固溶度以及较深的受主能级，所以ZnO材料很难实现有效的p型掺杂，导致难以得到半导体发光器件的核心元件——PN结结构。作为一种半导体材料，ZnO的许多应用依赖于其PN结结构。因此ZnO材料p型掺杂这一问题是氧化锌纳米发光器件实体化进程中的一个难题。 物理前沿论文 1 物光院08物理1班梁莉丽 106012008033