氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析.pdfVIP

第 26 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 7 2005 年 7 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J uly ,2005 氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析 佟存柱 　韩 　勤 　彭红玲 　牛智川 　吴荣汉 ( 中国科学院半导体研究所 , 北京 　100083) 摘要 : 含氧化限制孔的 V CSEL 具有低的阈值电流 ,但氧化孔的存在也会加大串联电阻. 本文采用理论模型 ,详细 计算了氧化限制型 V CSEL 的串联电阻. 把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻 ,分析了串联电阻与氧化孔半 径的关系 ,提出了降低 V CSEL 串联电阻的具体方法. 关键词 : 垂直腔面发射激光器 ; 氧化孔 ; 串联电阻 PACC : 4255P ; 4260B ; 8160C 中图分类号 : TN2484 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 做 DB R 时 ,为避免 DB R 中含 Al GaA s 层的严重氧 1 　引言 化导致 DB R 的破坏 ,DB R 通常采用 Al0 . 9 Ga0 . 1 A s/ GaA s 制备. 本文采用理论模型 ,详细计算了氧化限 ( ) 制型 V CSEL 的串联电阻 ,分析了影响串联 电阻的 垂直腔面发射激光器 V CSEL 具有 良好的波 长选择特性 、高量子效率 、低制备成本 、利于实现大 诸多因素 ,给出了串联电阻与氧化孔半径之间的关 规模单片集成等优越性而成为光纤通信系统中具有 系 ,提出了降低 V CSEL 串联电阻的具体方法. 重要应用的核心关键器件. 其核心结构为 PIN 结 ( 构 ,分别包括上层分布布拉格反射镜 DB R , 由多层 2 　基本理论 λ ) 光学厚度为 / 4 薄膜构成 、量子阱有源层 、下 DB R 等. 其中DB R 层的电阻对整个器件的阈值特性以及 V CSEL 器 件 垂 直 串连 电阻分 别来 自上 下 频率响应特性都有着重要影响[ 1 ] . 目前新型的 V C DB R 、侧向氧化层 、有源区等. 而减小电阻需要优化 SEL 器件大都采用氧化限制结构 , 即在量子阱和上 设计的部分主要为 DB R 结构和侧向氧化层. 因此本 下 DB R 层之间分别插入一层一定厚度的 Al GaA s 文主要计算分析 DB R 和氧化孔径的优化参数. 或 AlA s 层. 利用侧向氧化产生氧化铝 ,形成绝缘性 2 1 　D BR 的电阻 好的低折射率限制区域 ,用来作为电限制和光限制 , 可以使 V CSEL 实现极低阈值连续激射[2 ] . 图 1 为典型 V CSEL 结构. 在 Al0 . 9 Ga0 . 1 A s/ 虽然氧化限制可以大大降低激光器的阈值 电