反应离子刻蚀加工工艺技术地研究.pdfVIP

技术专栏 T Technology Column S 反应离子刻蚀加工工艺技术的研究 来五星，廖广兰，史铁林，杨叔子 （华中科技大学机械学院机电系，武汉 430074） 摘要：反应离子刻蚀 （RIE）选择性比较低，只能进行各向异性刻蚀，刻蚀特征尺寸小于3μm，无 危险化学试剂，但有危险气体和射频功率等安全风险。介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理，探讨了聚酰 亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方，研究了RIE草地现象形成机理，给出 了避免草地现象的工艺措施。 关键词：微机电系统；工艺；反应离子刻蚀 中图分类号：TN305.7文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2006)06-0414-04 LAI Wu-xing，LIAO Guang-lan，SHI Tie-lin，YANG Shu-zi (School of MSE of Huazhong Univ. of Sci. Tech，Wuhan430074，China) Abstract: etching. The feature line width is belowμ 3 Key words:MEMS；processing；RIE 等离子体加工工艺进行研究，主要包括刻蚀基本原 1 引言 理、工艺处方和草地现象处理。 [1] 工艺技术是设计思想的保证 ，许多工艺问 2 反应离子刻蚀原理 题，如薄膜应力、平面化、选择性湿法和干法腐 蚀，掌握它们在光刻和薄膜生长方面的这些技术， 常见的RIE系统如图1所示，硅片直接放在功 对MEMS器件设计和工艺工程师而言是非常重要的 率电极上，腔壁上赋有中性电极以增大有效面积， [1～4] 。刻蚀技术是从基片表面去除不需要的材料， 这样设置的作用是增大从等离子体到功率电极的电压 [5～7] 包括图案刻蚀、非图案刻蚀和基片清洗 。按所 射频功率 采用的手段又可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻 蚀与湿法刻蚀相比，选择性比较低，只能进行各向 等离子体 异性刻蚀，刻蚀特征尺寸小于3μm，无危险化学 基片 试剂，但有危险气体和射频功率等安全风险。三类 主要等离子体刻蚀工艺包括溅射、化学刻蚀和反应 [8，9] 进气 离子刻蚀(RIE)。本文就反应离子刻蚀技术对其 真空泵 基金项目 ：国家自然科学基金项目 50575078） 图1 RIE刻蚀系统原理图 414 半导体技术第31卷第6期 2006年6月 技术专栏 Technology Column T S 差和离子撞击的能量。