NiAu和N掺杂p型ZnO的欧姆接触.pdfVIP

第27卷第3期 发 光 学 报 Vol27 No3 Jun．2006 2006年6月 CHINESE OFLUMINESCENCE joURNAL Ni／Au与N掺杂P型ZnO的欧姆接触 王薪h2，吕有明“，申德掇1，张攮ee‘，李炳辉1， 姚斌1，张吉英1，赵东旭’，范希武1 (1中国科学院激发态物理重点实验室，吉林长春130033；2中斟科学院研究生院，北京10(1049) 为其欧姆电极材料，井比较了小同气氛和不f司温度退火对Ni／Au电极的影响。发现在0：中退火电极性能发 基蜣变，蔼程掩孛退爽牲艟得到改辫。指立即楚在％孛避灭，退虫潺凌静选择也是至芰重簧瓣，本实验在 400℃，氮气气氛下退火150s，得到了较好的酸姆接触特性、， 笨键谲：p-ZnO；NVAu；欧姆接触；退火 4 巾霉分类号：0472 PACC：7340S文献标识码：A文章编号：1000-7032(2006)034M26鸯3 7707型霍承效应测量仪测定。荦层静Au和如 最近几年，氧化锌(Zn0)由于其广泛的成用拔触电极的制备分别采用真空蒸发金属Au和In 蘸途，龙其是{筝为紫外光发蔚器辞翻紫捧激光器 的方法。辩手Nb／Au按瓣来淡，善先蒸镀一层 件的候选材料，受到人们广+泛的关涤”。。但是要 Ni，然后在蕊上蒸镀一层Au膜。 实现商效稳定的半导体发光二极管和半导体激光 3结果与讨论 器，锈然夏瞧诤多困难。裁餐稳定黪欧姆电极是 制备高效ZnO基光电子器件的难点之一。相对 摩温电举测量结果表明：我们生长的N掺杂 制备12型ZnO(n—ZnO)欧姆电极来说，由于P型ZnO呈现的是P型电导，其载流子浓度，迁移率和 cm·V一·s。 ZnO(p-ZnO)瓣功函数夫予单一金藩翦葫丽电疆率努割为6．90X10”c豫，0．16 和56．6ln·cm。 数”o，所以制备p-ZnO欧姆电极存在很大困难。 我们选用三种不问电极(Au，In，Ni／Au)来研 Yang和Lira等人报道Ni／Au在空气中退火后可 班等磷掺杂p-ZnO秘p-ZnMgO形成致簿接究与p-ZnO的竣魑祷瞧。匿i绘出了带三种不同 触”o’。本文着熏讲述三种金属膜(Au，ln和Ni／ 电极样品的，_P特性曲线。可以看出：金属ln与 hu)与N掺杂p-ZnO的接触特性．掺出Ni／Au双 层膜更适合律为其欧姆电极，同时研究f不同退 谯4-8V电艇范圈内望现线缝规律。然耐我们发 火气氛和退火温度对NJAu欧姆电极的影响。 现当电压超过该范围时，电流会宥很大波动，这将 影响测试的糖礁性。瞬时发理即使退火后，Au与 2安 验 p-ZnO的附潜能力也很差，很容赫从ZnO上脱落。 窟验中N掺杂P型ZnO样品是采用等离子这贱缺点说明Au不适合作为p-ZnO的稳定的欧 簿奄投麓瓣。鼓该盈逶霹以看瑟，金震张与ZnO 瘁耱麓分子袭努延在e嚣莛宝石(c-Al：绣)静褒 上生长得到的。N源和O源采用等离子体离化 也呈现近欧姆接触，iiii且我们发现在不需臻退火 的NO气体，zn源为纯度99．9999％的会属 的情况下，金属Ni与ZnO的附着能力就已经很 艘稿日期：2006-044)4；修订霸期：2d36-04a35