基于BSIM3模型的毫米波MOS变容管建模.pdfVIP

第四部分 微波毫米波无源器件及电路 基于BSIM3模型的毫米波MOS变容管建模 夏立诚，王文骐，胡嘉杰 （上海大学通信与信息工程学院，上海 200072 ） 摘要：本文提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。针对标准0.18m CMOS工艺，采用2D器件仿真软件MINIMOS 设计实现积累型MOS变容管，并提出和分析了基于标准BSIM3模型的MOS变容管的等效电路模型，通过MINIMOS仿真直接 提取电路模型各寄生参数。该模型能方便地在电路设计软件中实现，并能预测最高达40 GHz频率范围内的变容管特性。 关键字：毫米波，CMOS，建模，MOS变容管，BSIM3 Millimeter-Wave MOS Varactor Modeling based on BSIM3 Model Xia Li-cheng, Wang Wen-qi and Hu Jia -jie (School of Communication and Information Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China) Abstract: A modeling methodology of MOS varactor is presented for applications at millimeter-wave frequencies. The MOS varactor is designed and implemented in MINIMOS with standard 0.18 μm CMOS process and an equivalent circuit model based on the standard BSIM3 model card is presented and discussed. The parasitic parameters of the circuit model are extracted direct from the simulation in MINIMOS. The model can be easily implemented in circuit -design software with the capability of predicting the varactor behavior at high frequencies up to 40 GHz. Key Words : Millimeter Wave, CMOS, Modeling, MOS Varactor, BSIM3 1 引言 管，积累型MOS 变容管在GHz频率范围内具有更高的 品质因数、更宽的调谐范围和更低的功耗。为此，基 近两年，高速宽带无线通信应用的市场日益扩 于标准CMOS 工艺的积累型MOS变容管已成为射频 大，设计并实现低成本和高性能的毫米波单片集成电 集成电路中频率调谐器的首选元件。至今，已有多种 路日趋迫切。通常，单片微波集成电路多采用Ⅲ-Ⅴ 积累型MOS变容管模型的报道，但均不能应用于毫米 族半导体技术，例如GaAs和InP，虽然性能较好，但 [4] 波段。如Porret等人 分析了采用标准亚微米CMOS工 成本较高。随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟， 艺实现的MOS 变容管，提出了一种积累型MOS 变容管 设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可 的理论模型，但其很难在电路仿真软件中实现。Molnar 能[1][2][3] 。而毫米波CMOS 元器件的精确建模是设计和 [5