水溶液法制备ZnO薄膜地研究.pdfVIP

水溶液法制备ZnO 薄膜的研究 刘辉，靳正国 天津大学材料科学系，天津 (300072) E-mail ：zhgjin@ 摘 要：以硝酸锌和氨水为前驱生长液，采用低温水溶液法在涂敷ZnO 晶种层的玻璃基底 上外延生长ZnO 棒状晶薄膜。应用SEM 和XRD 表征ZnO 薄膜的形貌和结构。分析水溶液 法制备ZnO 棒晶的外延生长机理。研究生长时间对ZnO 棒晶尺寸的影响。 关键词：氧化锌；水溶液生长；棒晶阵列；氨水 中图分类号：TQ050.4 1. 引 言 ZnO棒状晶薄膜具有宽禁带(3.37ev)、大的激子束缚能(60meV) 以及高比表面积等性质， 近几年来成为半导体领域研究的一个热点。由于ZnO薄膜具备如此众多的优越性能，可广泛 应用于异质结太阳能电池、气敏传感器、紫外光探测器、光催化材料、缓冲层、单片集成、 [1-6] 表面声波器件、发光显示器件、光子晶体、压敏元件、压电器件等领域，并受到广泛关注 。 目前，制备ZnO 薄膜的方法较多，主要有喷雾热分解法、金属有机物化学气相沉积法 （MOCVD ）、溶胶—凝胶法（Sol-gel ）、电化学沉积法、脉冲激光沉积法（PU ）、分子束 [7-16] 。其中，水溶液化学法制 外延法（MBE ）、气相传输法、磁控溅射法和水溶液生长法等 备ZnO薄膜材料与其它方法相比，具有以下优点：1) 反应的前驱体为水溶液，组成简单， 环境友好。2) 纳米晶生长的温度低于100℃，无需复杂的设备。3) 薄膜由单晶一维粒子组 成，无需进行热处理。因此，水溶液法是制备大面积的ZnO棒晶阵列的一种优良的方法。 本文采用两步水溶液生长法研究了 ZnO 棒晶阵列薄膜的制备，主要包括：1)应用浸渍 －提拉法和热处理等工艺于衬底表面获得晶种膜，2)置于水溶液中衬底晶种膜的外延生长。 采用氨水和硝酸锌为生长液前驱体。在90℃的温度下探索了ZnO 棒晶阵列的生长及生长机 理。考察了ZnO 棒晶尺寸随生长时间的演变。 2. 实验部分 2.1 试剂原料 化学试剂为单乙醇胺（H NCH CH OH ）、乙二醇甲醚（C H OCH CH OH ）、乙酸锌 2 2 2 2 5 2 2 （Zn(AC) · H O ）、硝酸锌（Zn(NO ) ·6H2O）及氨水（NH ·H O，25 ％），上述原料均为 2 2 2 3 2 3 2 分析纯。 2.2 晶种层的制备 棒晶生长衬底为普通载玻片。首先将载玻片置于稀硫酸中用KQ-50B 型超声波清洗器超 声清洗20min ，接着用去离子水超声清洗20min ，最后用AR 级无水乙醇超声清洗20min ， 然后放入烘箱中干燥备用。 ZnO 种子液的配制如下：将一定量的醋酸锌（Zn(CH COO) •2H O ）溶解在乙二醇甲醚 2 2 2 （C H OCH CH OH ）中，放在磁力搅拌器上加热搅拌（温度为60℃），然后，将络合剂单 2 5 2 2 乙醇胺（MEA ）逐滴加入到上述溶液中，继续搅拌，直至溶液完全澄清。其中醋酸锌的浓 度为0.75M 且单乙醇胺与醋酸锌的物质的量比为1:1，搅拌时间为0.5h 。采用浸渍—提拉工 - 1 - 艺在清洁的衬底上制备ZnO 凝胶膜：浸入种子液的时间为30s，拉膜速度为4