接近式光刻仿真的研究.pdf

摘要 UV-L|GA技术用紫外光源代替同步辐射X光，从而以较为低廉的价格获得 较大深宽比的微结构，是一项极具发展潜力的微机械加工技术。紫外光的衍射效 应同时也造成了光刻图形的失真，影响了其加工精度的提高，这使得它的实用性 受到了一定的影响。为了获得高精度的光刻胶微结构，本课题组已经在国家自然 作为其中的一部分，本文对接近式紫外光刻的一些关键理论基础问题进行了深入 研究，提出了基于部分相干光理论对光刻过程进行模拟的方法，建立了光刻仿真 模型，并利用该模型研究误差产生的机理，分析了光刻胶图形失真程度。 论文运用部分相干光理论的基本原理，研究扩展的准单色光源发出的光经照 明系统，掩模版和空气间隙，进入光刻胶内部一直到基底的整个传播过程，分析 在此过程中光场的相干性和互强度的变化。建立起掩模微结构附近光场相干性的 精细求解模型，在此基础上运用互强度传播理论得到光刻胶上光强的分布，使仿 真模型更加合理。并用瑞利一索莫菲标量衍射理论，提高了近场和非傍轴区域光 强模拟的准确性。 针对影响衍射光强分布的几个重要因素，如掩模与光刻胶之间的间隙，掩模 本身误差以及相邻掩模图形之间的距离等对光强分布的影响。研究光刻胶表面衍 射光强的分布规律及其对光刻胶面形质量的影响，分析图形转移过程中的