溅射沉积CuO薄膜的光学和电学特性.pdfVIP

第8期 王俪蓉等：溅射沉积CuO薄膜的光学和电学特性 大，射向靶面的血离子数量增加，使得有更多的靶 1实验 材料上的原子被打出来，飞向衬底，使得溅射速率增 1．1样品制备 大。当心分压达到一定强度之后，真空室内气体分 利用JGP500型超高真空磁控溅射设备在普通子的自由程变短，分子问的碰撞几率变大，导致血 玻璃上沉积了CuO薄膜样品，靶基距为10cm。以 离子很难到达靶表面，被轰击出来的靶材料的原子 直径60 rain、厚度3mm的纯度为99．99％的金属铜也很难到达衬底，使得溅射速率反而下降。 为靶材。实验前，衬底的清洗步骤如下：去离子水冲 根据表1的数据，最终根据不同氧氩比、不同溅 洗—酒精浸泡20蚵删精超声波作用下清洗 射压强的溅射速率的不同，制定了不同的溅射时间， 5 设定出一系列膜厚比较接近的薄膜样品。在各氧氩 IIli-r去离子水冲洗一有机溶剂丙酮超声清洗 5111in一去离子水冲洗；近期要用的可以保存在无水比情况下，溅射压强为5阮时的沉积时间设定为1 乙醇中，长时间保存应该存放在干燥、真空度较低的 h；在各氧氩比情况下，溅射压强为8Pa时沉积时间 环境下。 设定为2h。 溅射过程中真空腔充入氩气作为工作气体，氧 气作为反应气体，氩气和氧气的流量分别采用两个 表1不同条件下制备的薄膜样品厚度 Tab．1 thinfilm qhethicknessof underdifferentconditions 质量流量控制器来控制；每次沉积薄膜前预溅射5 deposited min，用于清除靶表面的污染物，基片温度通过热电 偶控制。溅射参数设定如下：系统的本底真空度为 1．5×10～Pa，溅射功率100W，衬底温度为200。C， 由于样品不同的溅射压强下的沉积速率不同，所以 设定溅射压强为1，5和8 Pa的溅射时间分别为 0．5，l和2h，得到厚度比较接近的一系列样品。溅 射气体是99．999％的高纯氩气，溅射镀膜时氩气流 量为50ml／min(标准状态)不变，改变氧气流量使氧 氩比分别为l：2，l：1和2，：1。 1．2样品测试 2．2薄膜样品表面形貌与组分 利用非接触式轮廓仪测试了薄膜的膜厚，利用 利用SEM观察了九个薄膜样品的表面形貌，在 能谱(EDS)对薄膜材料的元素含量进行测量和分 压强同为1Pa的情况下，图1给出了在OFR为1：2， 析，用四探针测试仪对薄膜的电阻率进行测量，用分 1：1，2：1时的薄膜的表面形貌。 光光度计测量薄膜的透过率，并用外推法推导出氧 从．SEM照片可以看出，氧气流量对CuO薄膜的 化铜薄膜的禁带宽度。利用霍尔效应测试仪对薄膜 表面形貌、晶粒大小有显著影响。在氧气流量越来 的电学参数进行测量和分析。 越充足的情况下，薄膜晶粒尺寸较小，颗粒均匀，薄 膜较平滑。 2实验结果与讨论 图2给出了在氧氩比为1：1时不同溅射压强下 2．1薄膜的膜厚的测量和分析 的薄膜表面形貌。 在实验的开始阶段，对于不同溅射压强的情况 从以上这组SEM照片可以看出，溅射压强同样 下，制备了一组相同沉积时间的薄膜样品，沉积时间 对