硅腐蚀液中加入醋酸作用机理的研究.pdfVIP

维普资讯 摹23善 第_5期 西 安 交 通 大 学 学 报 Vo1．23 Ns5 1989年 10月 JOURNAL OF XVAN JMOTONG UNiVERSiTY Oct． 1989 硅腐蚀液中加入醋酸作用枫理的研究¨ 张前玉 何培之 朱 长纯 化学与化学工程系 电子工程茬 摘 要 本文用寰验证 实 了化学反应计量 比的HNoa～HF腐蚀液可用 作硅 器件的深槽 腐蚀’而在此腐蚀液 中加八醋醢，用于硅 器件 的浅槽腐蚀 比 用HN0 ～HF—NH．F 体 罨．的效果更好，井对醋酸在腐蚀液中的作用机理提 出 了新的见解． 关麓词l硅，浸 蚀J反应机理， 乙酸 中国暖书资料分类法分类号：T~S05。2 0 前 言 目前，HN0。一HF体系是半导体器件工艺中行之有效的腐烛液．腐蚀过程是硅的违续氧 化和氧化产物不嘶溶解 、扩散的过程．这种腐蚀体系的动力学过程 和硅的结晶方位 对 腐蚀形状的影响 “ 已有不少研究并有定论． 当前，硅腐蚀技术的发展，要求能够控制硅片陷几何形状，较为准确地控制腐蚀深度和 腐蚀宽度．因此，人们除了寻技新能腐蚀液外，还帮采取加入第三种组分米改变腐蚀反应速 率．其中一种方法是在腐蚀液中加入醋酸 ，于是上述腐蚀液宴际上成为HNO。～HF～HAc和 水的四组分体系，这种体系对于腐蚀深度弱宽度均较小的硅器件来说是 良好的腐蚀渡。有 的 资料认为，在HNO。一HF体系中加入醋酸后，体系成为一缓冲溶液，醋酸的缓 冲 作用导致 硅器件的腐蚀速率降低 ．本文作者认为，加入醋酸降低硅片的腐 蚀速率的根本原因是体积较 水分子大得多的醋酸身子的空间位阻作用大大地减少了NOa一离子和HF分子同Si和SiO 品格 的接触、碰撞机会，降低 了生成产物SiF 分子的扩散速度，从而使腐蚀反应速率藏小． 1 实验 内容 本实验所采用的样品为N型硅片，电阻率为3O·cm，~q-Jjs×4×0。 mma，试样的切割 1 国家自然科学基金资助项 目 咏到 日期t1989—0 一 维普资讯 8e 茵 安 交 通 大 学 学 报 第2端 使得大截面的表面为 111 晶面．所有试样的腐蚀都在18±0．5℃的恒温水浴中进行 ，分别腐 蚀三次，每次都用100cm 的新腐蚀液，这样，腐蚀反应所产生的热量为较大体积的溶液所 吸收．因此 ，腐蚀液的温度变化不大，保汪了在硅片的廊蚀过程 中温篦近于恒定。 腐蚀液所用试剂全部为优级纯或分析纯，各种酸昀浓建身别为：HN0。65~68 ，HF 48 ，HA口 998％． 硅片的腐蚀厚度用椭圆光度计测出．由腐蚀时问汁算平均腐蚀速度．用显微镜拍摄府蚀 表面形状． 本实验 的 目的是寻掳适合下列器件的腐蚀液． 1 MINP结构光致变电容效应器件 要求腐蚀深度为20～25 m j 2 大 功率达林顿管 要求腐蚀深度为28~40gm 3 电流控制负阻效应快速开关器件 要求腐蚀深度为25～28m 4 调谐用大容值超突变缮变容二极管 要求腐蚀深度为2[tm ． 常温下，HNO。--HF腐蚀液对硅的腐蚀反应易于进行．上述 1 ～ 3 项 的 腐蚀， 采用了按化学反应计量 比的配方，N~HNO。：HF l：1．对于 4 ，则固该配方的腐蚀速率太 快而不适用．即使使用水稀释该腐蚀渡，仍国夏应较快而达不到要求．面 采 用HNO。一HF — NH F体系进行腐蚀，则因反应速率太慢，使硅的腐蚀难于控制到所需深度．所 以实验中 一m 、 |u 采用加入醋酸作稀释剂 的方法。结果，顺利地完成了 4 项的腐蚀。 ●_三 2 结果与讨论 1 各种配忧的HNO 一HF腐蚀液加入相同量 的酣酸后，在同样 腐 蚀条件 F，硅 片的腐蚀速率 和腐蚀厚度 均大为降低．围l和图2分别为各种不同配_比的崩蚀液的腐蚀速 、＼。～ ～ ～0 … ～ 一 1HNO3：HF I：1 体积比 】一HNO3：HF 1：1 体积th 2 HNO。 HF：H10 1·1 1 体稿比 2一HNO ：HF 2 1 体积比 3．HNO3 HF ：HAc 1：1；1 休识 比 3一HNO3：HF ；H20 2t1：1 体积比 4．HNO3：HF：HAc 2 1 1 体积 比 圄l碡片腐蚀厚度d与时间 的关覃 圈2 硅片腐蚀速度口与对问的关季 维普资讯 第’5期 张前玉等．硅腐蚀液巾加入醋酸作用机理的研究 3， - _ _ — — — — — — — — — — — — — — — — — — ～ — ’ ～ 一 — — — — — — — — — — — — — ● ^ _ 一 率和腐蚀厚度与腐蚀时间的关系图． 醋酸的作用有各种解释．这主要是体积较水分子大得多的酷酸分