第章pn结.doc

第7章 p-n结 在热平衡状态下，对于本征半导体材料，其自由电子浓度和自由空穴浓度相等。通过掺入不同的杂质，半导体材料会出现自由电子或自由空穴浓度大的情况。分别表现为n型电导和p型电导， n = Ncexp-（Ec-EF）/ K0T，p = NvexpEv- EF/ K0T 但自由电子和自由空穴浓度乘积一定。 ni2 = n0p0=NcNvexp-Eg/K0T 。在非平衡状态下，会有非平衡载流子产生，半导体材料的统一费米能级分离，对应导带出现电子费米能级；对应价带出现空穴费米能级。n=NC·e{- （Ec-EnF）/k0T}； p= Nv·e（Ev-EpF/k0T）如果存在浓度梯度，非平衡载流子会发生扩散运动，可用扩散方程来描述。 漂移电流密度：J漂= σ|E|= nqu|E| 扩散电流密度：J扩= qDdn（x）/dx； J= J漂+ J扩= nqu|E|+ qDdn（x）/dx 如果把一块p型半导体和一块n型半导体结合在一起，在两者的交界面就形成了p-n结，界面附近的杂质分布,自由电子和自由空穴浓度显然是不均匀的。会出现一系列新的性质。 p-n结及其能带图 （1）p-n结的形成和杂质分布 合金法：将一小块铝粒放在一块n型单晶Si片上，加热到一定温度，形成铝硅的熔融体，然后降低温度，熔融体凝固，在n型Si片上形成一含有高浓度铝的p型薄层。在它和n型Si的交界处形成p-n结。突