Y-%2c2-O-%2c3-掺杂对氧化锌压敏电阻电性能和微结构的影响.pdf

摘 要 zno压敏电阻由于具有优良的非线性特性、大的浪涌吸收能力以及较高的工作 稳定性而在电子、电力领域得到了广泛应用。制备高电位梯度的znO压敏电阻是近 期压敏电阻的研究热点和未来主要发展方向。论文系统地研究了掺杂稀土氧化物 Y203的zn0压敏电阻的电性能和微观结构，采用高能球磨和低温烧结的工艺，在 800℃烧结时，制备出电位梯度高达2197v／mm的压敏电阻。 首先研究了高能球磨制备末掺杂Y203氧化锌压敏电阻的工艺条件和电特性， 筛选和优化了球磨时间参数和烧结工艺。研究发现高能球磨5h即可制备纯度比较高 体，为开发出晶粒均匀、电位梯度较高的压敏电阻提供了可能；最佳烧结温度1000℃ 比一般的固相法烧结温度降低了100℃～300℃，节省了生产成本。 1000℃烧结后，漏电流9．13uA，电位梯度1696v／mm，非线性系数18．7。 掺杂Y203后，采用高能球磨5小时及800℃低温烧结技术，制备了电位梯度达 压敏电阻陶瓷。Ⅺ①谱中，可以发现掺杂Y203的压敏电阻陶瓷在800℃烧结时， 33Sbo 组织出现四种晶相，即znO、Y．Bi203、zn26704及Y203相。波谱分析表明，压 敏电阻陶瓷的微观结构中，zn元素的分布主要集中在zn0晶粒及zn2 33sbo6704尖 晶石相中。Bi元素分布主要在ZnO晶间的富铋相中。Sb元素主要分布在尖晶石相 Zn233sbo6704中。Y元素主要分布在富铋相周围。有少量尖晶石相中的zn元素偏低， 而Sb元素偏高。对压敏电阻陶瓷晶界的势垒高度(p”势垒宽度∞、旌主浓度Nd及 界面态密度Ns计算表明，Y203起到受主的作用。 关键词： ZnO压敏电阻，稀土氧化物，高能球磨，电性能，微结构，低温烧结 Abstract ZnO Varistorswim nonlinear highly Voltage-currem wide to surgewithstaIldingc印ability蛐drangeworkingstabil时areemplo”dprotect electricalcircuitsinthefieldsofelectricala11delectronics．AJldtheresearchto m锄ufactureZnOvaristorwitll hasat廿actedlotsofattentionbothat high vol协ge—grament homeand has inthem衄℃too．Inthis the abroad，andprolninentmeaning p印eL i11nuenceofRare．eanhsoxide toZnOcemmicsontlleelec仃icaland Y203 in仃oducing microstmctureofvaristorwasstudied．Thevaristorceramicsw盯e propemes prepared ball underlow teHlper咖re usinghigh_energymilling∞EBM)techniquesintering，with of2197V／mm． Vohage—19radient