多电极半导体光放大器对增益特性的改善.pdfVIP

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多电极半导体光放大器对增益特性的改善.pdf

32 1 Vol.32 No. 1 2003 1 ACTA PHOTONICA SINICA January 2003 * 1, ** 2 1 黄黎蓉 李含辉 陈 俊 黄德修 ( 1 , 430074) ( 2 , 430079) 提出 采用多电极实现电流非均匀注入来改变半导体光放大器( SOA) 内部的载流子分 布,从而改变其增益饱和特性的 一种新的方案.用SOA 分段模型的计算结果表明, 与单电极均匀注 入电流的SOA 相比,在同样的总注入电流下, 对一个两电极 SOA 采用前面小后面大的非均匀电流 注入, 可以提高饱和输出功率和饱和输入功率.而采用前面大后面小的电流注入方式, 则将使SOA 更容易发生饱和, 不仅饱和输出功率与饱和输入功率减小,而且增益谱在饱和后的压缩程度加大, 增益谱压缩的对称性提高. 对多电极SOA, 可以方便灵活地调节各节之间的长度比和注入电流比 来满足不同的应用要求. 多电极;半导体光放大器;饱和输出功率; 消光比 TN16 A ., . 0 ,(SOA) ,SOA .,SOA .SOA . [ 6] ,, 1 P soutPs . SOA . P out= - 5 dB , , P P , ., sout s [ 1] P out= 5 dB ,. SOA , [2] . , , ,SOA , SOA , SOA ,, . , , SOA, . ,SOA , [3] , . [ 4] 1. 3 ~ 1. 5 , SOA . [5] SOA . SOA , , , SOA SOA, . 1 SOA , ., ,,, 图1 载流子沿腔长方向的分布 Fig. 1 Carrier distribution along cavity , , * 2 国家973 项目赞助课题( 编号:G2000036605) * * 通信联系人 Tel: 02787885649 SOA L , 收稿日期: 2002 03 25 1 . 69 I , L 1 L 2, , 100 A. I I , L = L + L , I = I + I . SOA P 9dB , 1 2

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