导电聚合物有序超薄膜材料特性的分析.pdfVIP

第37卷第 7期 光电工程 V0ll_37．NO．7 2010年 7月 Opto—ElectronicEngineering July,2010 文章编号：1003—501X(2010)07—0126—09 导电聚合物有序超薄膜材料特性的分析 郑华靖，徐建华，蒋亚东，杨亚杰 (电子科技大学 光电信息学院，电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054) 摘要：首次采用 LB膜诱导沉积法制备 PEDOT高度有序导电聚合物薄膜，所采用的工艺是将十／＼klCx(ODA)与聚 3,4一乙烯二氧噻吩／聚苯乙烯磺f#．(PEDOT-PSS)先形成ODA包裹PEDOT-PSS纳米粒子的组装体，然后再将其铺展 于气／液界面，制备PEDOT-PSS复合LB膜。研究了复合单分子膜在气／液界面的成膜性能，对不同层数的LB膜 进行 了较为详细的微观分析和结构表征 。采用 UV-Vis光谱对不同层数的复合膜进行 了表征 ，发现 ODA—SA／PEDOT-PSS膜具有比0DA／PED0T．Pss膜好得多的成膜性，这是由于生成的氨基酸改善 了复合膜的成膜 性；FT．IR和 XPS分析表明固态复合膜中存在静电作用力，复合膜靠静电力在气／液界面进行组装。实验表明， PEDOT-PSS纳米粒子对单分子层具有包裹作用，形成了稳定的复合单分子膜；在十／＼~-(ODA)和硬脂酸(sA)摩尔 比2：1、亚相温度23℃、PEDOT-PSS浓度 1×10～molL／、压缩速率5mm／min、拉膜速率为 1mm／min的条件下薄 膜具有较好的戍膜性能。 关键词：导电聚合物；聚3,4一乙烯二氧噻吩／聚苯乙烯磺酸；LB膜；光电特性 中图分类号：TN253 文献标志码：A doi：10．3969~．issn．1003—501X．2010．07．024 AnalysisofM aterialCharacteristicofOrdered ConductingPolymerUltrathinFilm zHENGHua-jing，xUJian-hua，JIANGYal—dong，YANGYa-jie (StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilms＆IntegratedDevices，SchoolofOptoelectronicInformation，University ofElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054，China) Abstract：ALangmuir-Blodgett(LB)inducingmethodwasfirstlyusedtopreparesinglelayerandmultilayerconducting composite PEDOT-PSS film．The film-forming ability of ionization ODA and ODA—SA monolayer spread on PEDOT-PSSnanoparticlessubphaseandthebehaviorof0DA／PED0T-PSSassemblyparticlesonpurewaterwerefirstly investigated．Theresultsindicate thatnanoparaticlesin suphasepack the ionization monolayerand stablecomplex Langmuirfilm wasformedatair／waterinterface．Ithasbeenfoundthatthebestfilm—formingconditionsforcomposite