采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术.pdfVIP

维普资讯 第33卷第 1期 光电工程 V01．33，NO．1 2006年 1月 Opto—ElectronicEngineerin Jan，2006 文章编号：1003-501X(2006)01—000l一05 采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术 冯伯儒 ，张 锦 ，刘 娟 _ (1．中国科学院光电技术研究所 微细加工光学技术国家重点实验室，四川 成都 610209； 2．中国工程物理研究院电子工程研究所，中国 绵阳 62l900) 摘要：成像干涉光刻技术(ILL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形 状集成电路特征图形的能力。在 IIL中，按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光，并使其在抗 蚀剂基片上非相干叠加，得到高分辨抗蚀剂图形。本文在研究一般三次曝光 IIL原理基础上，提 出采用沿 轴正、负方向以及沿 Y轴正、负方向偏置的双向偏置照明，分别曝光 方向、 方 向、+y方向、一Y方向的高空间频率分量并与垂直于掩模方向的低空间频率分量曝光相结合的五 次曝光 IIL。理论和计算模拟表明，该方法可以提高图形对比度和分辨力，并减小固调焦误差引 起的图形横向位移误差，有利于改善抗蚀剂图形质量。 关键词：光学光刻；干涉光刻；成像干涉光刻：分辨力增强技术；双向偏置照明 中图分类号：TN305．7 文献标识码：A Imaginginterferometrielithographywithbidirectionbiasedillumination FENG Bo．ru ，ZHANG Jinl，LIU Juan ， (1．TheStateKeyLab．ofOpticalTechnologiesfo，Microfabrication，theInstituteofOpticsand Electronics，theChineseAcademyofSciences，Chengdu610209，China； 2．TheInstituteofElectronicsEngineering，theChineseAcademyofEngineeringPhysics， Mianyang621900，China) Abstract：ImagingInterferometricLithography(IlL)hashighresolutionofinterferometriclithography (IL)andabilityforprintingarbitrarypatternsofopticallithography(OL)，Byexposingdifferentspatial rfequency sectionsrespectivelyandmakingtheexposuresnoncoherently superposedonphotoresist coatedsubstrate，betterresistpatternswithhigherresolutionandarbitrary ICpatternscanbeobtained．In thepaper,basedonconventionaltri—exposureIIL，proposed isanew IILwhichusesfiveexposures， includingfourbiasedexposuresofrhigherspatialrfequencycomponentsofpatternsonmaskin+X，～X， +Yand Ydirectionsalongx and Yaxesrespectively,andaperpe