采用新型读出电路的CMOS图像传感器研究.pdfVIP

维普资讯 第34卷第5期 光电工程 Vo1．34，No．5 2007年 5月 Opto—ElectronicEngineering M ay,2007 文章编号：1003—501X(2007)05—0067—04 采用新型读出电路的CMOS图像传感器研究 林聚承 ，袁祥辉 ，吕果林 ，黄友恕 (1．重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室，重庆 400030； 2．重庆神州龙芯科技有限公司，重庆 401121) 摘要：设计了一种采用新型读出电路的CMOS图像传感器，该器件电路结构简单，由四个MOS管，一个电容构 成：驱动信号源少，只需两个相配合的脉冲；功耗小于0．7mw；单端输出方便模数转换的视频信号：可以实现片 内差分。给出了理论分析和电路模拟仿真的结果数据及波形．采用标准 1．21xmN 阱DPDM CMOS工艺设计 了一 个256元的实验器件，像元中心距为25~tm，器件尺寸大小为lmm×l1mm，并对器件进行了主要参数的测试和数 据分析，验证了该器件的功能． 关键词：CMOS图像传感器；动态源随器；积分时闻 中图分类号：TN36 文献标识码：A CMOSimagesensorwithanew pereadoutcircuit LINJu．cheng，-，YUANXiang-hui，LOGuo．1in，HUANGYou．shu (1．KeyLaboratoryofOptoelectronicTechnologyandSystemsoftheEducationMin~tryofChina，ChongqingUniversity， Chongqing400030，China；2．CLXTechnoloyg Co．，Ltd，Chongqing401121，China) Abstract：A CM OS image sensorwith a novelreading outcircuitisproposed．The circuitconsistsoffourMOS transistorsandonecapacitance．Thesensorisdrivenbytworelatedplusandpowerconsumptionislessthan0、7mW ． Videosignalwhichcanconverteasilyfrom analogtodigitalisoutputbysingleend．Thesensorcanachieveon-chip difference．Inthispaper,thetheoreticalanalysisnadsimulationresultsofhtecircuitraegiven．A 256-pixeltestdeviceis designedby usingthe 1,2p．m N-WelldoublepolydoublementalstnadardCM OSprocesses、Dimensionofhtechipis lmm ×Ilmm wiht 25~tm pixeldistance．Themeasurementandna alysisofthemain parametersare implemented successfullynadthedevice’Sfunctionisverified． Keywords：CMOSimagesensor；Dynamicsource-follower；Integrationtime 引 言 随着半导体制造技术，多媒体技术的迅速发展，图像传感器作为图像获取设备的核心部件一直是研究 的重点之一。目前的图像传感器主要分两类，即CMOS图像传感器和CCD(ChargedCoupledDevi