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                光电工程
                    
第 37卷第 10期                               光 电工程                                    Vol】.37.NO.10 
2010年 10月                         Opto—ElectronicEngineering                         0ct.2010 
文章编号:1003—501X(2010)10—0034—07 
           导电聚合物有序超薄膜结构及光电特性 
                          郑华靖,徐建华,蒋亚东,杨亚杰 
               (电子科技大学 光 电信息学院 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054) 
    摘要:采用LB膜诱导沉积法制备聚(3,4)乙烯二氧噻~(PEDOT)高度有序导电聚合物薄膜。实验表明,聚(3,4)乙 
    烯二氧噻吩 聚苯乙烯磺 (PEDOT-PSS)~~I米粒子对单分子层具有包裹作用,形成了稳定的复合单分子膜;二次离子 
    质谱(SIMS)和小角X射线反射(XRR)分析表明十八胺一硬脂酸/聚(3,4)乙烯二氧噻吩一聚苯乙烯磺(ODA.SA/PEDO% 
    PSS)~装体优于十八胺/聚(3,4)乙烯二氧噻吩一聚苯乙烯磺 0DA/PED0T.Pss,具有更好的成膜性能,表面粗糙度 
    小且稳定可控,薄膜具有较好的有序结构。设计 了不同的测试结构,测量了复合膜的垂直电导率和水平电导率, 
    研究了薄膜的直流电流一电压特性,采用变程跳跃模型(vRH)对结果进行了拟合,表明三维变程跳跃模型(3D—VRH) 
    可以较好的解释多层膜中载流子的迁移。 
    关键词:导电聚合物;聚3,4一乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸;LB膜;电导率 
    中图分类号:0484.41                   文献标志码:A             doi:10.3969/j.issn.1003.501X.2010.10.007 
                    StructureandPh0tOelectricCharacteristicof 
                    OrderedConductingPolymerUltraThinFilm 
                 ZHENGHua-jing,XUJian—hua,JIANGYa-dong,YANGYa-jie 
         (StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilms&IntegratedDevices,SchoolofOptoelectronicInformation, 
                 UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu610054,China) 
    Abstract:ALangmuir-Blodgett(LB)inducingmethodwasfirstlyusedtopreparesinglelayerandmultilayerconducting 
    compositePEDOT-PSSfilm.Itisshownthatbetterfilm ·processingabilityofPEDOT-PSScanbeachievedbyspreading 
    ODASA mixedmonolayerOilthePEDOT-PSSsubphase.TheSurfaceofODA—SA /PEDOT-PSSmixedLBfilmsappears 
    muchfiner,steadyandeasytobecontrolledwitharelativelybetterorderedstructure.Differentstructuresweredesigned 
    totesttheconductiveabilityofthesecompositefilmsandaVariableRangeHopping(VRH)modelwasusedtoexplain 
    thefilm conductivemechanism .Theresultsindicatethata3D—VRH modelexplainswelltransferringofchargecarrierin 
    multilayerfilm. 
    Keywords:conductingpolymer;PEDOT-PSS;Langmuir—Blod
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