光刻胶烘培特性研究.pdfVIP

维普资讯 第32卷第3期 光电工程 Vo1．32，No．3 2005年 3月 Electronic Engi March，2005 文章编号：1003—501X(2005)03-0017-03 光刻胶烘培特性研究 李淑红 1,27杜春雷 ，董小春 (1．中国科学院 光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室，四川 成都 610209， 2．中国科学院研究生院，北京 100039) 摘要：通过研究光刻胶厚度与烘培过程中光敏混合物(PAC)浓度分布的关系，对光刻胶前烘模型 进行了修正，得出了光刻胶 内PAC相对浓度与光刻胶厚度、烘培温度和烘培时间之间的函数关系． 设计了求解光刻胶激活能Eo和Arrhenius系数Ar的实验方案，并以AZ50XT正型紫外光刻胶为例 开展了实验研究。结果表明，对不同厚度的光刻胶，可以通过调整烘培温度或烘培时间达到所需 要的PAC浓度． 关键词：微光学；光刻胶；前烘模型；特性ff~-；光敏混合物 中图分类号：0434．14 文献标识码：A Studyonthepropertiesofphotoresistbakingprocess LIShu-hong，一，DUChun-lei，DONGXiao-chun (1．StateKeyLaboratoryofOpticalTechnologiesforMicrofabrication，theInstituteof OpticsandElectronics，hteChineseAcademyofSciences，Chengdu610209，China； 2．GraduateSchooloftheChineseAcademyofSciences，BeUing100039，China) Abstract：Thepre-bakingmodelofphotoresistismodifiedbasedontheanalysisofhterelationshipof photoresistthicknessandhteconcenrtationdistributionofphotoactivecompound(PAC)duringbaking process．Andthen hte function relationsofPAC relativeconcentration in htephotoresisttOhte photoresistthickness，baking temperature and baking time are derived．Forhtemeasurementof activationenergy(Eo)andhteArrheniuscoefficient r)，na experimentalschemeisdesignednad performedwiht AZSOXTpositiveulrtavioletradiationphotoresist．Experimentalresultsshow htathte desiredrelativeconcentrationofPACwihtdifferentPh0toresisthticknessCnabeobtainedbyadjusting htebka ingtemperautrenad／orhtebakingtime． Keywords：Micro optics；Photoresist；Pre-baking model；Characteristicsnaalysis；Photoactive compound 引 言 微光学元件具有体积小、质量轻、造价低等优点，并且可以实现普