基于弛豫铁电单晶的热释电焦平面研究.pdfVIP

第38卷第2期 光 电工程 Vo1．38，No．2 2011年 2月 Opto—ElectronicEngineering Feb．2011 文章编号：1003—501X(2011)02—0046—05 基于弛豫铁电单晶的热释电焦平面研究 邵秀梅 1,2，马学亮 ，于月华 ，方家熊 ，2 (1．中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083； 2．中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083) 摘要 ：PMN．PT是一种综合性能优异的新型热释电材料。本丈以PMN—PT单晶作为热释电探测器材料，开展了8×1 线列探测器的芯片结构设计及器件关键工艺研究，获得 了8元热释电探测器芯片，电压响应率约280V／w。同时， 实现了8元热释电光敏芯片与8元读出电路的耦合互连，得到了8元热释电焦平面原型器件，并进行了性能测试。 由于读 出电路对可见光存在响应，影响了焦平面模块的热释电信号提取，电路设计有待改进。本文的研究为基于 新型弛豫铁 电单晶的大规模非制冷焦平面的研制奠定了一定的基础。 关键词：焦平面；热释电；PMN—PT单晶；非制冷 中图分类号：0434 文献标志码：A doi：10．3969／j．issn．1003—501X．2011．02．008 PyroelectricArrayswithRelax—based FerroelectricSingleCrystals SHAO Xiu．mei1,2 MA Xue．1iang ，YUYue．hua，FANG Jia．xiong， ， t1．StateKeyLaboratoriesofTransducerTechnology，ShanghaiInstituteofTechnicalPhysics， ChineseAcademyofSciences，Shanghai200083，China； 2．KeyLaboratoriesofInfraredImagingMaterialsandDetectors， ChineseAcademyofSciences，Shanghai200083，China) Abstract：PMN—PT singlecrystalisanovelpyroelectricmaterialwithsuperiorperformances．An8x1lineararraywas designed，andresearch on thekey processesofdevicefabrication wascarried outbased on PMN—PT crysta1．The responsivityofthe8x1chipwasabout280V／、 Atthesametime．the8x1pyroelectricchipwascoupledwithan8x1 read．outcircuit．Theperformanceofthe8x1FPA wasstudied．Thepyroelectric sing aloftheFPA devicecan’tbe measuredbecausetheread．outcircuitsrespondtovisiblelight．Thedesignofread—outcircuitsneedstobeimproved．The resultsofthepaperlayafoundationforthedevelopmentoflarge—scaleuncooled pyroele