厚胶光刻中曝光光强对光化学反应速率的影响.pdfVIP

维普资讯 第33卷第5期 光电工程 V01．33．No．5 2006年 5月 Opto—ElectronicEngineering M ay，2006 文章编号：1003—501X(2006)05—0036—05 厚胶光刻中曝光光强对光化学反应速率的影响 唐雄贵 ，郭永康 ，杜惊雷 ，温圣林 ，刘 波 ，罗伯靓 ，董小春2 (1．四川大学 物理科学与技术学院，四川 成都 610064； 2．中国科学院光电技术研究所 微细加工光学技术国家重点实验室，四川 成都 610209) 摘要：针对用于厚层光刻的重氮萘醌类正性光刻胶，利用动力学模型，分析了光化学反应速率的 影响因素：给出了光化学反应速率明显受光强变化的影 向以致互易律失效的原因。对厚度 24gm 的光刻胶AZP4620在相同曝光量而光强分别为3．2mW／cm和0．63mW／cm 的条件下进行了数值 模拟和实验。当曝光光强为3．2mW／cm!时仅需300s，即可显影完全，而当曝光光强为0．63mW／cm! 时需要的时间长达 2400s，才显影完全，且面形轮廓差异较大。因此，在厚胶光刻中，当曝光光 强较大时应适3-减小曝光量，反之，应适当增加曝光量 。 关键词：厚胶光刻；光化学反应；光强；动力学模型 中图分类号：FN305．7 文献标识码：A Exposureintensityeffectonthephotochemicalreactionspeed inthelithographyforthickfilm photo·resists TANG Xiong．gui，GUO Yong．kang ，DU Jing．iei’，W EN Sheng．iin。， LIUBo’，LUO Bo．iiang，DONGXiaochun (1．DepartmentofPhysics，SichuanUniversity，Chengdu610064，China； 2．StateKeyLaboratoryofOpticalTechnologyfoMicrofabrication，thebTstituteofpOticsand Electronics，theChineseAcademyofSciences，Chengdu610209，China) Abstract：Lithographytechnologyforthickfilmphoto-resistsisamuchmorecomplicatedprocess．The mechanism ofexposureofrthethickDNQ-Novolak-basedphoto-resistsiSdiscussedindetail．andthen theeffectofexposureintensityonthephotochemicalreactionspeedisinvestigatedbyusingkinetic mode1．Numericalsimulationandexperimentsshow thatthesimulatedresultsareconsistentwiththose fromexperiments．ForthelithographyofthickDNQ-Novolakbasedresists，thephotochemicalreaction speedisobviouslyaffectedbytheintensitymagnitudeduringexposure，whichwillleadtoexposure reciprocity failure．Tilecauseoriginatesrfom increasein temperatu