环氧基负性光刻胶加工微结构的试验研究.pdfVIP

维普资讯 第33卷第 11期 光电工程 V01-33．No．11 2006年 l1月 Opto—ElectronicEngineering NOV,2006 文章编号：1003—501X(2006)1卜0036—04 环氧基负性光刻胶加工微结构的试验研究 郑晓虎 ’，2 (1．淮阴工学院 机械系，江苏 淮安 223001； 2．南京航空航天大学 机电学院，江苏 南京 21O016) 摘要：在正交试验的基础上，将BP神经网应用于负性光刻胶(su．8)Js~x-高分辨率和高深宽比微结 构的3-_艺研究，建立了光刻图形质量与前烘时间、前烘温度、曝光量、后烘时间之间的预测模型， 该模型采用三层前向网络，学习算法为梯度下降法。通过实验，得出：前烘温度与前烘时间对光 刻质量影 向最大，对 120～340gm厚的光刻胶，前烘温度取90~C，前烘时间50～100min时，图形 的相对线宽差最小；最佳后烘时间(85～95℃)为30min；超声搅拌能缩短显影时间，改善图形质量。 试验结果与网络预测结果吻合。结果表明，将BP神经网络应用于uv—LIGA技术中，可以优化 光刻工艺 关键词：光刻工艺；UVLIGA；预测模型：优化 中图分类号：TN305．7 文献标识码：A Fabricationofm icro-·structurebyusingepoxy-·basednegativephotoresist ZHENG Xia0．hul， (1．MechanicalDepartmentofHuaiyinInstitute，Huaian223001，China； 2．NanjingUniversffyofAeronauticsandAstronautics，Nanjing21O016，China) Abstract：Theprocessofphoto1ithographicwasstudiedinthispaperbyusinganArtificialNeural Network(ANN)basedonorthogonalexperimentaldesign．From experimentitcouldbeconcludedthat thesoftbaketemperatureandtimewerethekeyfactorofthestructurequality．Whenthephotoresist thicknessrangedfrom 120to340gm．thesoftbaketemperatureandtimewas90~C and5O～120minutes． theperfectimagecouldbeobtained．Thebestpostexposurebaketemperaturewas85～95℃ withless 30minutesbake．Inordertoobtainthesuitableparametersofthevariousthicknessphotoresist，anBack Propagation(BP)networkwith3layerswasbuiltbasedonorthogonalityexperiment．TheANNwas trainedwithBPalgorithm．Thepredictionwasaccordingtotheexperimentresults，whichprovedthatthe lithographicprocessofthefabricationofhighresolutemicrostructurecouldbeoptimizedwithANN． Keywords：Lithographicp