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第27卷第12期增刊 仪 器仪 表学报 VoL27No．12
Chinese ofScientificInstrument Dec．2006
2006年12月 Joumal
嵌入式Flash存储器内建自测试控制器的设计*
雷加晏筱薇周勇
(桂林电子科技大学电子工程系桂林541004)
种针对嵌入式F1aSh存储器的内建自测试控制器的结构。该结构采用指令格式，可以减少指令数据量。仿真结果表明，该内建
自测试控制器可以有效地测试Flash存储器的故障。
关键词Flash存储器故障特征内建自测试控制器
ofbuilt—inself-testcontrollerofembeddedFlash
Design memory
Lei YanXiaoweiZhou
Jia Yong
Electronic Electronic 541004，China)
(Departemntof Engineering，GuilinUniversityof Technology，Guilin
Abstract atcharactersofflash workmechanismandfaultcharacter．
Aiming memory，thispaperanalyzes
built-inself-testcontroller atembeddedflash is
Onthebasisof of
this，a aiming memory
can reducesinstructionandtest simulationresult
controllerinstructions，which time．The
adopts effectively
that cantestfaultsofflash
indicatesthiscontroller memory．
wordsFlash faultcharacterbuilt-inself-testcontroller
Key memory
1 引 言 测试技术的研究还比较少，国外已经有了一些研究。在
BIST结构和算法的兼容性上需要进一步的研究。
Flash存储器是从EPROM和E口RoM发展而来
的非挥发性存储集成电路，其主要特点是工作速度快、单
元面积小、集成度高、可靠性好，可重复擦写10万次以 源 』 ＼ 漏
上，数据可靠保持超过十年，是一种发展最为迅速的半导 贺／ ＼街
体存储器。另外flash存储器的的尺寸越来越小，容量越 一／ ＼
来越大，可能存在的缺陷类型也越来越多，这给SOC芯
片及其嵌入式存储器的测试带来了困难。因此，研究 图l NOR型Flash存储器单元的横截面
Flash存储器的测试方法具有重要的理论和实践意义。
2 Flash存储器的工作机制和故障特征
内建自测试(built-inself-te
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