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深亚微米体硅器件电离辐射及退火与温度的相关性研究.pdf
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深 微米体硅器件 电离辐射及退火与温度的相关性研 究
Study ()ntheDependence ofAnnealingandTemperaturefortheIonizingRadiationEft~etsontheDeep
Sub-micronBulkSiliconDeviee
尹雪梅 ’，师谦 ，李斌 。(1．占林大 珠海学院 电子信息系，』东珠海
519041；2．电子兀器件可靠件物珲及其腑 技术目家级重点实验室，，一
尔广州510610；3．华南理1-火学微 电子研究所，广东广州 510640)
YinXue-mei’，ShiQianZ,LiBin。(1．T}1flDeparhnentcfEle-tllJI『lnfiwmalion，Zhuhai(olh·
, lilin [1ni~Olsib．(hmngdongZhuhai519041：2FheResear~h＆ nalysis(]entezofChinaCEPREI
Iah】『tatlr『v．(；uangdong(；uangzh~lll510610：3．1astituteofM icmeIechonh~s．SouthChinaUniversilv
ofFechnohgy，C,umlgdongGuangzhou510640)
摘 要 ：对经过 (：o不同剂量剂量率辐照的体硅 MOS器{~-(NMOSFET与PMOSFE~分别进行了室温和高溢下
的退火实验，并对退火结果进行分析，讨论 退火温度对 MOS器件阈值 电压及辐射感生的氧化层陷阱电荷与
界面态 电荷产生 的影响。
关键词 ：温度 ；退火效应 ；总剂量效应；电离辐射
中图分类号 ：FN381．1 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003—0107(2011)03—0018-03
Abstract：TheM0Sdeviceswhichhavebeenirradiated underthe differentdose anddoserateradiationwillbeannealed underthe
room temperatureandthe hightemperature，the annealing resultswillbeanalyzed，and the annealtem perature effectwillbe dis-
cussed later
Keywords：temperature；annealing effect；totaldoseeffect；ionizingradiation
CLCnumber：TN3811 Documentcode：A ArticleID．1003—0107(2011)03一O018—03
1引言 25krad(Si)m／in．．4#～6#样品进仃 J，20k，60k两个剂量的}式验 ，齐J『
率为5krad(Si)m／in。
随着数宁集成电路的广泛应用，金属 一氧化物 一半导体场
样 侄退火过程rt木加 乜【压偏置 ，管脚完伞悬空，全程恒
效应(M0sFEl1器什和
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