Mg掺杂对Zn1-xMgxO薄膜结构与光电性质的影响.pdfVIP

黄桂娟等：Mg掺杂对Znl一；M艮O薄膜结构和光电性质的影响 Mg掺杂对Znl--xMgzO薄膜结构和光电性质的影响。 黄桂娟，孔春阳，秦国平，阮海波 (重庆师范大学物理与电子工程学院，重庆400030) 摘 要： 利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制 。MgO粉末靶制备Zn。一，Mg，O薄膜，先将石英玻璃 备了不同掺杂浓度的Zn。一，Mg，O(o≤z≤0．09)薄膜，片用洗涤剂清洗15min，再放入丙酮、乙醇、去离子水 借助X射线衍射(XRD)、透射谱测试、霍耳测试等手 中各超声波振荡清洗5min，并用氮气吹干，腔体的本 段对ZnO薄膜的结构及光电性质进行了研究。实验 结果表明，所制备的薄膜均具有轴择优取向，随着Mg 的氩气，工作压强为2．5Pa，基片与靶材之间距离为 浓度的增大，(002)峰向大角度方向移动，在整个可见 区有较高的透射率(≥80％)，且光吸收边明显蓝移。AMBIoS XP-1型台阶仪测量膜厚约为0．5弘m，通过 考虑导带上移引起施主缺陷离化能的增大，给出了栽 流子浓度随Mg掺杂含量不同的变化关系，计算结果 与实验符合较好。此外，Mg含量达到9％时，薄膜的 的结晶情况，ZnO薄膜的透射光谱测量是在日立U一 导电性能极弱，这很可能与施主缺陷离化能的相对增 4100双光束紫外可见分光光度计上进行的。用Ecop— 加和和大量杂质散射相关。 iaHM孓3000型霍尔测试仪测试样品的电学性质，以 关键词： Zn，一，Mg，0薄膜；晶格常数；透射谱；能带铟一镓合金为测试电极材料，确保各样品均有较好的欧 宽度 姆接触。 中图分类号：0644 文献标识码：A 3结果和分析 1 引 言 3．1 Znl一，Mg：O薄膜的XRD分析 ZnO是一种具有优异特性的宽带隙半导体材料， 为了探究掺Mg量对ZnO薄膜晶体结构性能的 呈六角纤锌矿结构(a=0．325nm，c=0．521rim)，室温 影响，首先借助X射线衍射仪对Zn，一，Mg，O薄膜(z 下禁带宽度为3．36eV。激子束缚能为60meV，高于其 它宽禁带半导体材料(如ZnSe为20meV，GaN为 果如图1所示。 21meV)[川，也远高于室温热能(26meV)，具备了室温3姗 下发射蓝光或近紫外光的优越条件[2]，因而在紫外探 麓D∞ O．∞ 测器、发光二极管(LEDs)和半导体激光器(LDs)等方 ～ 面具有广阔的应用前景[3’4]。目前，通过掺杂来改善或 一 调节其性能是ZnO薄膜的研究热点之一，如掺Li+的 ．盯暑l—■置 一 ZnO具有铁电性[5]，可开发为铁电器件；掺A13+、ln件 的ZnO具有良好的导电特性[6J]，可以作为透明电极 使用；掺M92+、Cd2+可以改变薄膜的带隙[8d]，用于其 o匕========： ∞ 鸵 半导体量子阱及超晶格等结构的势垒层。由于M92+ ％l℃l∞ 的掺人引