X波段5WHBT功率管的研制.pdfVIP

X波段5W I-IBT功率管的研制 钱峰王学之孙毅陈效建 (南京电子器件研究所，210016) 摘要：本文讨论了x波段微波功率异质结双授晶体管(HBT)的设计．介绍了器件研制的工艺过 程及滑试结果．研制的器件在x波段功率输出大于5W．功率密度达到2．5W／ram．采用击76mm 工艺制作．工艺成品率高． I引言 作为新型异质结嚣件的一种．HBT以其优异的高频、高速性能以及它在功率、1，f噪声方面 的优势．使其在雷达、卫星通信、精密制导及个人移动透信等军事、民用顿域具有广泛的应用前 景． HBT器件由于采用宽禁带发射区材料．使得在保证足够电流增益的同时可采用高基区掺杂 和低发射区掺杂．因而具有比同质结晶体管明显优异的高额特性．并且由于器件的关键尺寸基区 宽度由外延生长技术决定，从而避免了FET器件中亚微米图形制作带来的困难．在微波功率运用 方面．与GaAsFET器件相比HBT具有更高的功率密度；决定HBT器件击穿电压的BC结反向 击穿电压主要由外延材料层结构参数决定，不同于FET器件的击穿电压主要与工艺过程相关：在 同等额率和功率水平下。HBT器件具有更高的输出阻抗，并且输入、输出阻抗更趋近于“实数”． 因而更易于功率匹配和实现宽带匹配． 本文通过对外延材料参数、器件结构和尺寸参数的优化，使得器件得到较好的功率性能，文 中井对HBT器件功率内匹配和功率台成技术进行讨论，该结果对于器件实用化研究具有重要意 义． 2．器件设计分析 2．1器件结构设计 HBT器件在功率运用时，输出功率几乎同步随着发射极指的增大而增大，但同时髓者发射 极指的增多．器件结电容增加，器件频率特性也相应的恶化，这将对器件增益特性产生影响·因 此在微波波段IIBT功率器件的研究中．单个器件的输出功率一般不超过3W，更大的输出功率通 常采用功率台成技术实现． 设计的HBT器件版图布局见图～．其中：发射极为2×20“一．基极采用双叉指结构-每 umz：器件胞和胞之间的间距设计主要考虑热效应，设计的发射极}缃指 个基授指尺寸为1×20 之间的间距为30微米，每排发射极指之间的间距为90微米．发射极通过背面通孔实现互连·更 大的器件可以由多个这样的单胞并联得到． 啊M酬A■■hr 肿●啪 Thh-岫囟一 f』Ll “ r∞ ∞I m ■ I(B j Ⅲ hm*‰^¨m， ‰^¨m7H i rm 钿 C h—蛐4EIJ IEl4 哪 § C641ag_十O山 j^C幽_r日山2111 棚 i Lq圉鲴}一 藿 I●J HBT外延材科层结构 El-10发射指HBT器件|氍图布局 表2．GaA“GAlAs 2．2异质结外延材料参数设计 -异质结外延材料设计是整个器件设计的基础，其台理性将对最终的器件性能产生重要的影 响。在外延材料结构设计中，发射区采用缓变结设计+咀避免突变结引起的突变异质势垒．提高 发射极注入效率；基区采用重掺杂设计．以降低器件基区电阻，提高器件的频率特性：集电区采 用厚空间层厚度和低掺杂设计，以提高BC结反向击穿。发射极_及集电极欧姆接触层均采用 2E18c