ZnOPr6O11基压敏电阻的研究进展.pdfVIP

· 26 · 材料导报 ：综述篇 2010年 8月(上)第24卷第8期 ZnO-Pr6011基压敏 电阻的研 究进展 赵 呜，郭 巍，谢 敏 ，宋希文 (内蒙古科技大学材料与冶金学院，包头 014010) 摘要 综述了ZnO-Pr00 (ZnPrO)基压敏电阻在制备技术、显微组织和掺杂影响等领域的研究进展，指出烧 结温度高、显微组织不均匀和掺杂的影响未被完全揭示是本研究领域的主要不足。开展液相烧结技术、引入颗粒第 二相使显微组织均匀化和探索低成本非稀土掺杂是ZnPrO基压敏 电阻研究领域的主要发展方向。 关键词 ZnO Pr6011压敏电阻 中图分类号：TN379；TN304．93 文献标识码：A ResearchProgressofZnO-Pr601lBasedVaristors ZHAO M ing，GUO Wei，XIEM in，SONG Xiwen (SchoolofMaterial＆ MetallurgyScienceandEngineering，InnerMongoliaUniversityofScienceandTechnology，Baotou014010) Abstract Theresearch progressofthesynthesis，microstructureanddopanteffectofZnO-Pr6O11(ZnPrO) basedvaristorsisreviewed．High sinteringtemperature，heterogeneousmicrostructureand thenotfullyunderstood dopanteffectsarethreemainobstacleshinderingitsfurtherapplications．Itisalsoproposedattheendthatliquid-sin- teringtechnique。microstructurehomogenizingtechnologybyintroducingparticlesecondaryphaseand low-eostnon- RE dopantresearcharethreeimportantrealmsforthefuturedevelopmentofthevaristors． Keywords ZnO，PrG011，varistor 压片式领域内得到广泛应用，并展现 出极大 的发展潜力。目 O 引言 前 国内虽已有多位研究者涉足 ZnPrO基压敏 电阻的研究与 ZnO-Pr60ll(ZnPrO)基压敏 电阻是 以 ZnO、Pr60l1、 开发，如洪秀成等 ]和王风贺等 分别研究了Ce0、La0。 Coz。3(或CoO)为主要原料 ，同时添加 Cr()3、Al。0。或 Y2 对 Co、Cr等掺杂的ZnPrO压敏电阻的影响，并发现适量的 等稀土氧化物中的 1种或几种制备而成的重要的功能半导 稀土氧化物掺杂有利于提高ZnPrO基压敏电阻的非线性系 体陶瓷[】]。与 目前应用最为广泛的ZnO-BiO。(ZnBiO)基 数与电位梯度，但从总体的研究水平来看，国内还远落后于 压敏电阻相 比，ZnPrO基压敏电阻具有 以下优势：(1)组分具 国外，同时国内外尚缺乏对此的专门性评述_g]。因此，本文 有较高的化学稳定性，且相对简单，但拥有与ZnBiO基压敏 将从制备、显微组织和掺杂影响等方面综述 ZnPrO基压敏电 电阻类似的电压一电流非线性 ，即仅 由ZnO、PrO 和 CozO。 阻研究领域的进展，分析存在的问题与不足，并展望将来可 这 3种成分组成时，其非线性系数就可达到 36，漏 电流仅为 能的发展方向，以期推动我国在这一研究