霍耳效应磁场的讨论.pdfVIP

第 18 卷 第 2 期 大 　学 　物 　理 　实 　验 　 Vol. 18 No. 2 2005 年 6 月出版 PHYSICAL EXPERIMENT OF COLLEGE Jun. 2005 ( ) 文章编号 :1007 - 2934 2005 02 - 0023 - 05 霍耳效应测磁场的讨论 王爱芬 (杭州电子科技大学 ,杭州 ,310000) 摘 　要 :介绍了霍耳效应测磁场的实验目的、原理及测量方法。详细论述了霍耳效应伴 随的副效应对测量结果的影响。 关键词 :霍耳效应 ;磁感应强度 ;霍耳电压 ;半导体 ;空穴 中图分类号:O441. 3 　　　　文献标识码 :A 1 　背景及实验目的 ( ) 1879 年霍耳 E. H. Hall ,1855 —1938 在研究载流导体在磁场中受力的性质时 ,发现了 电流通过金属在磁场作用下产生横向电动势的霍耳效应。霍耳效应的应用十分广泛,利 用霍耳效应可以确定半导体材料的基本参数。用实验方法研究物质的导电现象 —测量霍 耳系数和电导率 , 曾推动了半导体理论的发展。1980 年发现了量子化霍耳效应 ,利用这 ( - 6) 种效应可极精确地测定精细结构常数 精确到 10 ,并提供一种电阻的精确的绝对单位 (精确到 10 - 8) ,这项发现的意义现在还难以估计。 磁感应强度是一个重要的磁性系数, 它的测量比电系数测量要难。测B 的方法包括 用冲击电流计测磁场, 用霍耳元件测磁场, 其中霍耳元件测磁场更简便, 更有意义。 用霍耳片测磁场的目的是通过该实验了解什么是霍耳元件、霍耳效应以及测磁场的 原理 ,学习用霍耳片测磁场的方法 ,并且指出霍耳效应是研究半导体材料性能的基本实验 方法。可确定半导体载流子的类型及能带结构、浓度 ,霍耳系数与电导率、电阻率、迁移率 之间的关系。 由于半导体的霍耳效应比金属显著,霍耳器件多用半导体材料。1910 年用铋制成了 霍耳元件 , 由于霍耳效应在金属板中十分微弱,当时并没有引起重视 ,直到 1948 年 ,半导 体迅速发展 ,人们采用了霍耳效应较为显著的材料锗。1958 年对化合物半导体材料锑化 ( ) ( ) 铟 InSn 、砷化铟 InAs 进行研究 ,制成了效果较好的霍耳元件。霍耳元件具有简单、小 ( ) ( ) 型、频率响应宽 从直流到微波 、输出电压变化大 , 可达 1000 :1 、寿命长等优点。因此 , 尽管目前霍耳元件还存在转换效率低、温度影响大的缺点 ,霍耳元件仍在测试技术、自动 化技术和信息处理等方面广泛应用。 收稿日期 :2004 - 11 - 23 —23 — © 1994-2006 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. 2 　霍耳效应原理引伸 21 　霍耳效应的实验规律 通有电流的片状金属或半导体处在磁场中若 B 的方向与电流方向垂直时, 则在垂直 于电流和磁场的方向上, 引起横向的电动势, 这种现象称为霍耳效应。这个规律是霍耳于 1879 年在薄的金属箔上发现的, 为纪念他, 称上述实验现象为霍耳效应。其实验规律是 B