磁控反应溅射沉积AlN薄膜的制备工艺_朱昌.pdfVIP

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2015-08-29 发布于重庆
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磁控反应溅射沉积AlN薄膜的制备工艺_朱昌.pdf

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磁控反应溅射沉积AlN薄膜的制备工艺_朱昌.pdf

2 8 1 V o l. 2 8 No . 1 2008 02 Jo urnal o f Xi an T echnolo g ical U niver sity Feb . 200 8 : 200 8) 010150 3 * A lN 朱昌, 朱春燕 ( , 7 10032) : 采用反应磁控溅射的技术, 利用高纯氮气和氩气混合气体在 K9 玻璃基片上沉积了 A lN 薄 . 通过正交实验, 分析了工艺参数与沉积速率的关系. 研究了氮气浓度对透过率的影响. 实验结果表明: 在各工艺参数中靶功率对沉积速率影响最大, 靶功率为1. 0 kW , 氮气浓度控制在25% ~ 35% 时薄的性能良好, 沉积速率为39 nm/ min, 薄在可见光区域平均透过率为90% . 该薄可以广泛用于光学薄和压电薄材料. : 反应磁控溅射; A lN 薄 ; 沉积速率; 透过率 : O484. 4 : A A lN 3 m in. 65 sccm , [ 13 , 3 min , . , A lN ZnO CdS . , , A lN , , [ 4 , , GH z , 7 m in. , ( SA W) ( BA W) . A lN . BA W SA W , A lN M2000U I [ 56 , , . A lN . , , U350 1 . . . 2 正交实验结果 A lN , , , . . 3 10- 3 P a 7 min , 1 A lN 薄膜制备工艺过程 , ZZX1100 , , 1. 3 10- 3 Pa, 1 . ( 99. 999 %) , 100 T ab. 1 Pro cess f actor s level of o rthonor mal ex per iments mm, 7 mm , / kW / cm / P a / % ( 99. 999%) . 1 0. 8 16