背腐蚀在晶体硅太阳能电池生产中的应用.pdfVIP

·42’． 中国太阳能光伏进展 背腐蚀在晶体硅太阳能电池生产中的应用 苦史伟．孙铁囤 刘志刚 汪建强 安静叶庆好 上海交通大学物理系太阳能研究所上海200240 ～ 【摘要】 背腐蚀可以用来取代常规的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的PN结分开。本 一 文中背腐蚀使用了HF／HN03体系，正面没有使用掩膜。用扫描电镜(SEM)观 察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅，铝界面情况，分析了背反射和内 量子效应IQE。用背腐蚀代替等离子刻蚀的晶体硅太阳能电池的tsc，Voc和电 池效率都得到提高。 【关键词】 背腐蚀SEM背反射IQE Back UsedinSiliconSolarCellsProductLine Etching ● KuShiweiSunTietunLiu An Ye WangJianqiangjing Qinghao Zhigang 0引言 随着硅太阳能电池薄片技术的发展，单体电池越来越薄，背面场在太阳能电池中的作用 也越来越重要【1-21。丝网印刷铝背场被广泛的应用于晶体硅太阳能电池的制造中，由于其价 格低，产量高。通过光谱响应测量，铝背场在长光波段的响应优于硼背场。红光和红外光谱 响应铝背场比硼背场高约10％～50％。【31但是烧结时的高温和丝网印刷电极会形成粗糙的铝硅 界面，降低背面的反射率。H快烧得到比较均匀的背场和比较平整的界面，提高长波光波的 内量子效率，碡1同时增加开路电压。高质量的单晶硅，均匀的体和背场的太阳能电池在长波 处的性能更好。背面抛光和绒面的硅晶体与铝相互作用的结果是不同的：【8】背面抛光时形成 的铝硅界面平整一些。 表面有掩膜时可以很有效地将前面和后面的P．，l结分开，可以用来取代边刻蚀，避免晶 片的碎裂也避免了使用有毒性气体CF。。本文研究了在不使用掩膜的条件下的背腐蚀，丝网 印刷和网带烧结后铝背场的特性以及晶体硅太阳能电池工艺。 1实验 实验使用硼掺杂(Ioo)，250pm厚，125×125 mm2，P型CZ硅衬底，都选自同一块硅 晶体硅太阳电池及材料．4,3． 锭。为了单独研究铝背场，实验中没有制作P—n结也没有进行其 他的太阳能电池工艺(即表面钝化，接触，减反射膜)，以减少 实验带来的偏差。实验中使用了两组晶片，A组只用低浓度的 NaOH刻蚀，B组继续用HF／HN03混合酸溶液以及其他的添加 剂进行背腐蚀，示意图见图l。 经过绒面和背腐蚀后，衬底的厚度约为2001．tm，丝网印刷 了20gm的铝，然后在常规工艺条件下将电池片烧结。用扫描 图1背腐蚀示意图 电子显微镜(SEM)来进行背腐蚀的表面分析。用积分球和分 光计进行了反射率的测量。 2结论和讨论 绒面和背腐蚀的SEM图见图2。 (a)背腐蚀 (b)绒面 图2背腐蚀和绒面的表面形貌 背腐蚀减薄硅衬底的厚度约10p．m。从图中可以看出，衬底表面的金字塔结构在背腐蚀 后消失，表面比没有进行背腐蚀前平坦。 … ．在金字塔和背腐蚀的两组电池片背面丝网印刷上铝电极，烧结。对两组电池进行了300 一 I100nm光谱的反射率见图3。