AlXGa1-XN%2fGaN异质结中的Rashba自旋劈裂.pdfVIP

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2015-08-30 发布于安徽
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第十五_全田化合物半导体、散波嗣l件和光电嗣l件掌术。分议广州’08 WED—GaN-107 A1xGal．xN／GaN异质结中的Rashba自旋劈裂李明，张荣，谢自力，修向前，张曾，严文生，刘斌，郑有蚪 f江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学物理系，南京210093) 摘要：通过自恰求解薛定谔方程和泊松方程。可以得到沿c轴牛长的Al。Gal．,,N／GaN异质结【{l的导带底的形状，同时得出电子分布以及所有束缚态。我们发现电子占据前两个子带并且得到町观的第一、二了带Rashba自旋劈裂(在费米能级处)。我们研究了Rashba自旋劈裂随Al组分变化关系，并且讨论了电子对第二子带的战据对第一子带Rashba劈裂的影响。结果表明，Rashba 自旋劈裂随Al组分增加很快，说明巾压电极化和自发极化导致的内建电场对Rashba自旋劈裂至关重要。这些结果可能对自旋电子器件的设计自．重要意义。关键词t Rashba自旋劈裂，压电极化，自发极化，自恰计算中图分类号：TN304．02 文献标识码：A 文章编号： i Rashbai n I i tti i nA unctons sp sp ng I。Gal-xN／GaNheteroj DepartmentofPhysics,NanjingUniversity,Nanjing,210093，China) andPoisson for caxis， Schrlingerequation equationself-consistentlyAIxGal．xN／GaNheterojunctiousgrownalong Abstract：Bysolving allthe in are theelectronsare thedistributionofelectronsandtheexact of boundedstatesconfined energy heterojunctionsgotten，and foundtotake thefirsttwo ofRashba ofthefwsttwosubbandsatthefermilevelis up subbands．Comparablemagnitude spinsplitting ofelectrons thesecond ofRashba withAIcontentinthebarrieragecalculated．Theeffect obtained．Changesspinsplitting takingup subandOilRashba ofthefirstsubbandagediscussed．Theresultsshowthattheinternalelectricfieldcaused spinsplitting bypiezoelectric andthe iscrucialfor Rashba inAIxGal．xN／GaN polarizationspontaneouspolarization