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文章编号：08．028-02 oFCl02009
单片集成电吸收调制分布反馈激光器术
朱洪亮”，梁松，李宝霞，赵玲娟，王宝军，边静，许晓冬，朱小宁，
王圩
(中国科学院半导体研究所，半导体材料科学重点实验室，北京912信箱，邮政编码100083)
摘要：简化工艺、降低制作成本和提高整体特性是光电子功能集成器件的追求目标和发展
方向。本文介绍了一种选择区域外延双有源区叠层结构(SAG．DSAL)新技术，以此技术设
计研制了单片集成电吸收调制分布反馈激光器(EML)，SAG．DSAL．EML管芯器件的阈值
电流为20mA，工作电流为100mA时的出光功率为10roW，调制器加．3V偏压时的消光比为
12dB。结果实现了简化制作工艺并提高器件性能的预期目的，有望用于规模化生产．
关键词：选择区域生长(SAG)，双有源区叠层结构(DSAL)，电吸收调制激光器(EML)
中图分类号：TN256
文献标识码：A
modulatedDFBlasers
Monolithicallyintegratedelectro-absorption
Zhu BaoXia，Zhao BaoJun，Bian
HongLiang，LiangSong，LiLingJuan，Wang Jing，
Xu and Wd
XiaoDong．ZhuXiaoNingWang
of
ofSemiconductorMaterialsScienceInstituteSemiconductors，Chinese
(KeyLaboratory
ofSciencesP．O．Box 100083，P．R．CHINA)
Academy 912，Beijing
Abstract：Its beendesirabletO COStand ch幽盈d砸醯kofthe
long simpUfyproccu．10werimprove integrated
named double
functionaldevice8．Anovd which selective部呜a stackedactive
optoelecU-onic tedlnique growth
introduced．A modulateddis廿ibutedfeedbeck
integrateddectro-absoq儿ion
layer(SAG—DSAL)ismonolithic．ally
is20
with SAG-DSAL-EMLdeesholdctlxreat
laser(EMI)isdevelopedthi|technique，the chip’s mA,opticaloutput
is mWatall of100 ratiois12dBwhenthebias onthemodulateris
10 current mA,extinction
power injection vdmge
-3V．Itsd船-i
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